| 講演名 | 2000/1/21 ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET 児玉 聡, 古田 知史, 伊藤 弘, 渡邉 則之, 神田 淳, 村口 正弘, 石橋 忠夫, |
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| 抄録(和) | チャネルの上下にゲートを配したペアゲート電界効果形トランジスタ(FET)を提案し、実験的に検討した。素子試作には低温ウエハボンディング技術を用い、ペアゲートAlGaAs/InGaAsヘテロ構造FETを3インチウエハ上に作製することに成功した。試作素子の相互コンダクタンスの最大値は240mS/mmであった。また、上下のゲートが互いに独立してドレイン電流を制御できることを確認し、2ゲート入力や可変閾値動作の見通しを得た。また、ペアゲートFETは、通常の片側ゲートFETと比較して、高い相互コンダクタンス、低いソース-ドレイン間容量、良好な閾値近傍特性という特徴がもつことから、将来のマイクロ波、もしくはデジタル回路における新しい基本素子としての可能性が期待される。 |
| 抄録(英) | We investigated a novel heterostructure field-effect transistor (HFET) with paired gates (PGs), where one gate is above and the other below the channel. Using the wafer-bonding technique, we succeeded in fabricating AlGaAs/InGaAs PG-HFETs on a 3-inch-diameter wafer. The static characteristics of the fabricated HFET indicate that the drain current (I_D) is controlled by the paired gates, providing maximum transconductance of 240 mS/mm. Since the drain current can be controlled by each gate voltage independently, the PG-HFET accepts two gate input signals and functions as a variable threshold HFET. PG-FETs have the unique feature of variable threshold voltage, higher transconductance, lower drain-source capacitance and better subthreshold characteristics. Thus, they will be valuable in creating a new class of microwave and digital circuits. |
| キーワード(和) | ウエハボンディング / 可変閾値 / 2ゲート入力 / ヘテロ構造電界効果型トランジスタ / InGaAs |
| キーワード(英) | wafer-bonding / variable threshold voltage / two-gate-input / HFET / InGaAs |
| 資料番号 | ED99-279,MW99-203,ICD99-254 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2000/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Variable Threshold Filed-Effect-Transistor with Paired Gates Fabricated by Using the Wafer-Bonding Techniqe |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ウエハボンディング / wafer-bonding |
| キーワード(2)（和/英） | 可変閾値 / variable threshold voltage |
| キーワード(3)（和/英） | 2ゲート入力 / two-gate-input |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ構造電界効果型トランジスタ / HFET |
| キーワード(5)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 児玉 聡 / Satoshi KODAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Phtonics Labs. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 古田 知史 / Tomofumi FURUTA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Phtonics Labs. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊藤 弘 / Hiroshi ITO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Phtonics Labs. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 渡邉 則之 / Noriyuki WATANABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Phtonics Labs. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 神田 淳 / Atsushi KANDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Phtonics Labs. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 村口 正弘 / Masahiro MURAGUCHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTエレクトロニクス(株) NTT Electronics Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石橋 忠夫 / Tadao ISHIBASHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Phtonics Labs. |
| 発表年月日 | 2000/1/21 |
| 資料番号 | ED99-279,MW99-203,ICD99-254 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 561 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |