| 講演名 | 2000/1/20 SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器 分島 彰男, 牧野 洋一, 山之口 勝己, 佐本 典彦, |
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| 抄録(和) | ミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器をSiO_2膜埋め込みゲートプロセスを用いて開発した。本ゲートプロセスでは、化学増幅レジストをマスクに2回のドライエッチングを用いて、SiO_2膜に開口パターンを転写している。これにより、ゲート長(Lg)及びしきい値面内ばらつきにおいて良好な結果を得た。量産性向上の点からこのSiO_2膜を除去せずに高性能化をはかるために、ゲート傘部の高さ(hg)の最適化(hg=0.25μm)を行ってゲートフリンジング容量低減した。それにより、HJFET(Lg=0.13μm)においてfmax=220GHzという高い利得を得ることが出来た。このHJFETを用いて1段HJFET-MMIC増幅器を作製し、75GHz帯において小信号利得10dB以上の高利得性能をMMICレベルで実証した。さらにこのMMIC増幅器により、75GHzにおいて最大出力密度200mW / mm、最大効率22%を得ることを示し、電力増幅器としての性能実証を行った。 |
| 抄録(英) | High gain HJFET-MMICs with embedded gates in a SiO_2 film have been developed. A chemically amplified resist (CA resist) is employed as a dry-etching mask and SiO_2 openings, which determine gate length (Lg), are directly patterned by two-step dry-etching. Very small deviations both in Lg and threshold voltage are obtained. SiO_2 film thickness is optimized in order to reduce fringing gate capacitance. As a result, fabricated HJFETs (Lg=0.13μm) exhibited high gain performance of 220 GHz f_ |
| キーワード(和) | ミリ波 / HJFET / MMIC / 増幅器 |
| キーワード(英) | Millimeter-wave / HJFET / MMIC / Amplifier |
| 資料番号 | ED99-278,MW99-202,ICD99-253 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2000/1/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiO_2膜埋込み0.13μmゲートミリ波帯高利得HJFET-MMIC増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Gain HJFET-MMIC Amplifiers for Millimeter-wave with 0.13 μm Embedded Gate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミリ波 / Millimeter-wave |
| キーワード(2)（和/英） | HJFET / HJFET |
| キーワード(3)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(4)（和/英） | 増幅器 / Amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 分島 彰男 / Akio Wakejima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牧野 洋一 / Yoichi Makino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山之口 勝己 / Katsumi Yamanoguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐本 典彦 / Norihiko Samoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2000/1/20 |
| 資料番号 | ED99-278,MW99-202,ICD99-253 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 560 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |