| 講演名 | 2000/1/19 GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション 蓮見 由美子, 古寺 博, |
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| 抄録(和) | GaAsMESFETにおけるゲートラグへの表面トラップの効果を二次元デバイスシミュレーションで解析する。アクセプタ型表面トラップのエネルギー準位を変えたときの、直流および過渡特性の双方を論ずる。直流特性では、表面トラップにより表面空欠層が形成され、表面ポテンシャルが変化してしきい値電圧が変化する。過渡特性は表面トラップエネルギー準位により、ゲートラグなし、二段階の遅れ、単純な遅れの3つに分かれ、表面空欠層とゲート空欠層の時間変化によって説明される。また、表面電位の制御により、ゲートラグが抑制されることを確認した。 |
| 抄録(英) | Effect of the surface traps on the gate-lag in GaAs MESFET's are investigated by the two-dimensional device simulation. Both of the DC and transient characteristics are discussed for the various energy level of the acceptor-type surface trap. In the DC characteristics, threshold voltage is found to change with the surface potential due to the existence of surface traps. According to the energy level of surface trap, the transient characteristics are classified into 3 cases no gate lag, two step lag and a simple lag which can be explained by the time change of surface and gate depletion layer. The gate-lag is shown to be suppressed by controlling the surface potential with the applied external voltage. |
| キーワード(和) | GaAsMESFET / デバイスシミュレーション / 表面トラップ / 直流特性 / ゲートラグ |
| キーワード(英) | GaAsMESFET / device simulation / surface trap / DC characteristic / gate-lag |
| 資料番号 | ED99-261,MW99-185,ICD99-236 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2000/1/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAsMESFETにおけるゲートラグに対する表面トラップ効果のシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation of the Surface Trap Effect on the Gate-Lag in GaAsMESFET's |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAsMESFET / GaAsMESFET |
| キーワード(2)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 表面トラップ / surface trap |
| キーワード(4)（和/英） | 直流特性 / DC characteristic |
| キーワード(5)（和/英） | ゲートラグ / gate-lag |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 蓮見 由美子 / Yumiko Hasumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉工業大学工学部電子工学科 Dept.of Electronics, Chiba Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 古寺 博 / Hiroshi Kodera |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉工業大学工学部電子工学科 Dept.of Electronics, Chiba Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/1/19 |
| 資料番号 | ED99-261,MW99-185,ICD99-236 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 559 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |