| 講演名 | 2000/1/19 リセスゲートおよび埋込みゲート構造GaAs MESFETにおけるゲートラグの解析 若林 朗, 三谷 恭隆, 堀尾 和重, |
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| 抄録(和) | リセスゲート構造および埋込みゲート構造GaAs MESFETのターンオン特性を2次元シミュレーションし、主に表面準位に起因すると考えられるゲートラグの構造パラメータ依存性およびOFF状態ゲート電圧V_| 近傍では、埋込みゲート構造とすることでゲートラグが著しく改善されることが示された。しかしながら、V_ | より負で大きな場合には大きなゲートラグが生じうることが示唆された。 | |
| 抄録(英) | We have made two-dimensional simulation of turn-on characteristics in recessed-gate and buried-gate GaAs MESFETs, and studied how the gate-lag (which may occur mainly due to surface states) is affected by the structural parameters and the off-state gate voltage V_| , the gate-lag could be greatly reduced by introducing the buried-gate structure. However, it is suggested that the large gate-lag might be seen when V_ | . | |
| キーワード(和) | ガリウム砒素電界効果トランジスタ / ゲートラグ / リセスゲート構造 / 埋込みゲート構造 / 表面準位 / デバイスシミュレーション | ||
| キーワード(英) | GaAs MESFET / gate lag / recessed-gate structure / buried-gate structure / surface state / device simulation | ||
| 資料番号 | ED99-260,MW99-184,ICD99-235 | ||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2000/1/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | リセスゲートおよび埋込みゲート構造GaAs MESFETにおけるゲートラグの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Gate-Lag Phenomena in Recessed-Gate and Buried-Gate GaAs MESFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ガリウム砒素電界効果トランジスタ / GaAs MESFET |
| キーワード(2)（和/英） | ゲートラグ / gate lag |
| キーワード(3)（和/英） | リセスゲート構造 / recessed-gate structure |
| キーワード(4)（和/英） | 埋込みゲート構造 / buried-gate structure |
| キーワード(5)（和/英） | 表面準位 / surface state |
| キーワード(6)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 若林 朗 / A. Wakabayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三谷 恭隆 / Y. Mitani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀尾 和重 / K. Horio |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/1/19 |
| 資料番号 | ED99-260,MW99-184,ICD99-235 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 559 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |