| 講演名 | 1999/8/26 ホール注入に起因した酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション 横沢 亜由美, 北村 卓也, 河田 将人, |
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| 抄録(和) | フラッシュメモリの書込/消去時条件の違いが保持特性に与える影響を、トンネル酸化膜へのホールの注入量の違いに注目して、実験/計算により検討した。ゲートソース間のストレス電圧を変化させ、バンド間トンネルにより生成するホールの酸化膜への注入量を変えた場合の、膜中の電荷トラップ生成量の変化と、保持特性の変化を測定した。その結果、酸化膜中に生成される電子トラップは、ホールの注入量が多いほど多くなることが示された。さらに、フラッシュメモリの保持特性も、ホールの注入量が多い条件で消去を行ったものほど劣化が大きくなった。これらの結果は、ホールが、電子をトラップする準位を生成し、その準位を介したリーク電流が増加したためと考えられる。このモデルに基づき保持特性をシミュレートした結果、実験結果が良く再現することを確認した。 |
| 抄録(英) | Degradation of the retention characteristics induced by hole injection during the white/erase (W/E) operation has been investigated. When gigy source voltage is appolied in the W/E operation, large number of hot holes are generated due to band-to-band tunneling (BTBT), and some of them are injected into the tunnel oxides. Hole injection has been reported to increase stress induced leakage currents (SILC), and the increase in the SILC will accelerate the degradation of retention characteristics. In this wolk, we have estimated the degradation of the retention characteristics from the defference in oxide charge traps that are induced by hole injection. Employing a hole-induced trap generation model, the dependence of the retention characteristics on the source voltage and the oxide electric field at the W/E operation has been successfully explained. |
| キーワード(和) | フラッシュメモリ / 保持特性 / ホール注入 / トンネル酸化膜 / ホールトラップ / 電子トラップ |
| キーワード(英) | Flash memories / Retention characteristics / Hole injection / Tunnel oxides / Electron traps |
| 資料番号 | ICD99-133 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/8/26(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ホール注入に起因した酸化膜中電荷トラップによるフラッシュメモリ特性劣化のシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation for degradation of flash memory due to hole-induced charge traps in the tunnel oxide |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash memories |
| キーワード(2)（和/英） | 保持特性 / Retention characteristics |
| キーワード(3)（和/英） | ホール注入 / Hole injection |
| キーワード(4)（和/英） | トンネル酸化膜 / Tunnel oxides |
| キーワード(5)（和/英） | ホールトラップ / Electron traps |
| キーワード(6)（和/英） | 電子トラップ |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横沢 亜由美 / Ayumi Yokozawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC ULSI Device Development Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 北村 卓也 / Takuya Kitamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC ULSI Device Development Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 河田 将人 / Masato Kawata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC ULSI Device Development Laboratory |
| 発表年月日 | 1999/8/26 |
| 資料番号 | ICD99-133 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 265 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |