講演名 | 1999/8/26 HDP-CVD形状シミュレーションのキャリブレーション手法 木下 繁, 川口 英一, 執行 直之, |
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抄録(和) | HDP-CVDによる層間絶縁膜の埋め込みプロセスをモチーフとして、形状シミュレーションのキャリブレーション手法を検討した。形状シミュレータはAvant!社製のTerrainを使用した。HDP-CVDモデルでは、Thermal Deposition, Ion Enhanced Deposition, Sputter Etching(by Ar+), Re-depositionの4つの現象が起きていると考え、それぞれの形状進行への寄与が7つのパラメータによって決められている。断面SEM写真、プラズマシミュレーション、文献等を用いて各パラメータのキャリブレーションを行った。 |
抄録(英) | This article proposes a calibration method for a topography simulation, especially for an inter-metal dielectric(IMD) step using HDP-CVD. Terrain of Abant! was used. For HDP-CVD, four phenomena such as thermal deposition, ion enhanced deposition,sputter etching by Ar+, Re-deposition were considered using seven model parameters. A proposed calibration method was based on experimental SEM data, plasma simulation and published papers. |
キーワード(和) | TCAD / HDP-CVD / 層間絶縁膜 / 形状シミュレーション |
キーワード(英) | TCAD / HDP-CVD / IMD / Topography simulation |
資料番号 | ICD99-131 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 1999/8/26(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | HDP-CVD形状シミュレーションのキャリブレーション手法 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Calibration method for HDP-CVD simulation |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | TCAD / TCAD |
キーワード(2)(和/英) | HDP-CVD / HDP-CVD |
キーワード(3)(和/英) | 層間絶縁膜 / IMD |
キーワード(4)(和/英) | 形状シミュレーション / Topography simulation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 木下 繁 / S. Kinoshita |
第 1 著者 所属(和/英) | (株)東芝 セミコンダクタ社 マイクロプロセサ・ASIC事業部 Microprocessor & Custom LSI Division, Toshiba Corporation, Semiconductor Company |
第 2 著者 氏名(和/英) | 川口 英一 / H. Kawaguchi |
第 2 著者 所属(和/英) | (株)東芝 セミコンダクタ社 マイクロプロセサ・ASIC事業部 Microprocessor & Custom LSI Division, Toshiba Corporation, Semiconductor Company |
第 3 著者 氏名(和/英) | 執行 直之 / N. Shigyo |
第 3 著者 所属(和/英) | (株)東芝 セミコンダクタ社 マイクロプロセサ・ASIC事業部 Microprocessor & Custom LSI Division, Toshiba Corporation, Semiconductor Company |
発表年月日 | 1999/8/26 |
資料番号 | ICD99-131 |
巻番号(vol) | vol.99 |
号番号(no) | 265 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |