| 講演名 | 1999/7/23 Dependence of Switching Characteristics on Fabrication Process and Capacitor Size for Pt/SBT/Pt Ferroelectric Capacitor , |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Effects of fabrication process and capacitor size on the switching characteristics were investigated for Pt/SrBi_2Ta_2O_9 (SBT)/Pt capacitors. The switchable polarization (P^*-P^∧) and its saturation characteristic with operation voltage were degraded by the damage during capacitor etching, intermediate level dielectric (ILD) formation, and contact-hole etching. They were also degraded with decreasing capacitor size, because of the greater damage for the smaller capacitor. By optimization of fabrication process such as use of capacitor level dielectric (CLD) under ILD and proper recovery annealing, the damage could be sufficiently minimized, then the switchable polarization and its saturation characteristic were independent on capacitor size in the range from 100×100 to 1.4×1.4 μm^2. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Nonvolatile memory / Ferroelectric capacitor / SrBi_2Ta_2O_9 (SBT) / capacitor size / switchable polarization / saturation |
| 資料番号 | ICD99-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence of Switching Characteristics on Fabrication Process and Capacitor Size for Pt/SBT/Pt Ferroelectric Capacitor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Nonvolatile memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Woo Seok Yang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Memory Research and Development Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | ICD99-124 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |