| 講演名 | 1999/7/23 A Non-destructive Readout Single Transistor FRAM with Floating Well structures , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A nonvolatile single transistor type FRAM is proposed. To overcome the disturb problem of one-transistor-type FRAM during write operation, each well is isolated from adjacent columns, hence, the well bias can be controlled individually and can be floating state. The results of HSPICE simulations showed the successful operations of the proposed cell array. The worst gate disturb voltage of unselected cell is less than 2 volt, which satisfies V/2 rule. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Ferroelectric Nonvolatile memory / Non-destructive readout / single transistor FRAM |
| 資料番号 | ICD99-120 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Non-destructive Readout Single Transistor FRAM with Floating Well structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Ferroelectric Nonvolatile memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Shi-Ho Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Dept. of Semiconductor Science, Wonkwang University |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | ICD99-120 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |