| 講演名 | 1999/7/23 Properties of MFSFET's with Various Gate Electrodes Using LiNbO_3/Si (100) Structures , |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | MFSFET's with various gate electrodes, that are aluminum, platinum and poly-Si, using LiNbO_3/Si (100) structures were fabricated and the properties of the FET's have been discussed. The gate leakage current density of the MFS device using a Pt electrode showed the least value of low 10^<-8> A/cm^2 orders at the field of 500 kV/ cm. The drain current as a function of retention time of the FET using Pt electrode remained almost the same value of its initial value over 2 days at room temperature. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Gate electrode dependence / Ferroelectric film / LiNbO_3/Si (100) structure / MFSFET / Non-volatile memory |
| 資料番号 | ICD99-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties of MFSFET's with Various Gate Electrodes Using LiNbO_3/Si (100) Structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Gate electrode dependence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Kwang-Ho Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Semiconductor Engineering, Cheongju University |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | ICD99-119 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |