| 講演名 | 1999/7/23 Bottom Electrode Structures of Pt/Ru Deposited on Polycrystalline Silicon for Semiconductor Memory Capacitors , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The ruthenium buffer layers for platinum deposition onto polycrystalline silicon (poly-Si) were formed by dc sputtering and metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) for high dielectric constant (Ba,Sr)TiO_3 (BST) capacitor integration. The electrode structures of Pt/dc-sputtered Ru/poly-Si annealed for 1h at 700℃ in oxygen ambient (760 Torr) showed severe intermixing between Pt and Ru and showed greatly rough morphologies by the RuO_x phases formed on platinum surface during annealing in O_2. On the other hand, those of Pt/MOCVD-Ru/poly-Si annealed at 700℃ showed smooth surface microstructure without any second phases on platinum. Contacts in the annealed Pi/dc-sputtered Ru/poly-Si and Pt/MOCVD-Ru/poly-Su structures showed a specific contact resistance of 4.0×10^<-2> and 1.5×10^<-5> Ω・cm, respectively. In Pt/BST/Pt/Ru/poly-Si capacitor structure formed at 500℃, leakage current characteristics and dielectric properties measured between top Pt and bottom Pt showed almost similar values to those measured between top Pt and poly-Si. The bottom electrode structures of Pt/Ru/poly-Si formed by MOCVD are greatly attractive for high density memory BST capacitor integration. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Ru buffer layer / Pt/dc sputtered Ru/poly-Si / Pt/MOCVD-Ru/Poly-Si / Contact |
| 資料番号 | ICD99-116 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Bottom Electrode Structures of Pt/Ru Deposited on Polycrystalline Silicon for Semiconductor Memory Capacitors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Ru buffer layer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Eun-Suck Choi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Materials Engineering, Chungnam National University |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | ICD99-116 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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