| 講演名 | 1999/7/23 Challenge to 0.13μm Device Patterning using KrF , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The extension of optical lithography to sub-0.15μm design rule(D/R) using high NA KrF scanner and resolution enhancement technique(RET) is being considered because of the delayed ArF lithography technology, so that the development of 0.13μm device which has been accepted as the role of ArF or any post-KrF technologies will be a real challenge to most lithographers and even to the engineers of related technologies such as etch, thin film, CMP, etc.. In this paper, we discuss and predict the status and feasibility of 0.13μm device lithography with KrF refering to the theory and simulation, and then show some critical device patterns exposed with several KrF scanners which are currently available. Results of high NA scanners such as 0.68NA and 0.70NA available in the near future are also included and discussed. In the latter part of this paper, the most critical issues that can be predicted for 0.13μm device lithography are mentioned as requirements. We conclude that the challenge could be surmountable in the near future. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | KrF / lithography / high NA / RET / ArF |
| 資料番号 | ICD99-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Challenge to 0.13μm Device Patterning using KrF |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / KrF |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / In-Sung Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co. Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | ICD99-114 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |