| 講演名 | 1999/7/23 The Electrical Properties of Concave-type (Ba,Sr) TiO_3 Capacitors for Advanced Memories , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | High-dielectric BST capacitors for Giga-bit DRAM applications were fabricated in a concave-type integration structure. As an electrode material, Pt was deposited by a DC magnetron sputtering method on the patterned TiO_2/SiO_2/Si substrate. Thin BST films were deposited by both the sputtering and MOCVD method using the LDS system. The oxide storage holes were patterned by the reverse photo of normal stacked nodes. All as-deposited capacitors were annealed at 650℃ in a less oxygen atmosphere. Electrical properties such as capacitance, leakage current were measured. It was observed that there was the limitation of sputtered BST capacitors as the storage holes deepen. However, CVD BST capacitors had good step coverage and electrical properties regardless of the storage hole depths. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | High-dielectrics / (Ba,Sr)TiO_3 / concave-type / MOCVD / capacitance / leakage current / step coverage / storage oxide height |
| 資料番号 | ICD99-112 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Electrical Properties of Concave-type (Ba,Sr) TiO_3 Capacitors for Advanced Memories |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / High-dielectrics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Hong-Bae Park |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co. |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | ICD99-112 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |