| 講演名 | 1999/7/23 Optimization of Postannealing Process for Low Temperature MOCVD (Ba, Sr) TiO_3 Thin Films , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | 30-run-thick (Ba,Sr)TiO_3 thin films deposited by liquid source MOCVD at 400℃ were post-annealed before top electrode deposition in order to remove the hydrocarbon in thin films. By annealing at a low temperature of 500℃ and a high temperature of 700℃, high dielectric constant (170) an low leakage current density (less than 1.0×10^<-8> A/cm^2 at ±1V) were achieved. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Dielectric Thin film / BST / DRAM / MOCVD / hydrocarbon / multi-step post-annealing |
| 資料番号 | ICD99-111 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimization of Postannealing Process for Low Temperature MOCVD (Ba, Sr) TiO_3 Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Dielectric Thin film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jaehoo Park |
| 第 1 著者 所属（和/英） | School of Material Science and Engineering, Seoul National University |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | ICD99-111 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |