| 講演名 | 1999/7/23 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性 金 済徳, 川越 進也, 佐々木 公洋, 畑 朋延, |
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| 抄録(和) | 強誘電体PZT薄膜を反応性スパッタリングの金属モードで(ZrTi+PbO)の複合ターゲットを用いて450℃という低温で、8nm/minという高速で推積に成功した。Pb:Ti:Zr=1:0.5:0.5となるように粉末ターゲットでも複合ターゲットと同様に450℃という低温でペロブスカイトPZT薄膜の作製に成功した。このPZT薄膜の推積機構について実験的に調べた結果、酸素の供給源はガスでなくPbOからであった。(ZrO_2+Pb+Ti)混合物ターゲットの場合は450℃という低温でペロプスカイトPZT薄膜の作製はできなかった。これからPbOとZrO_2の生成熱と結合エネルギーに起因するのがわかった。 |
| 抄録(英) | For a (ZrTi+PbO) composite target using metallic mode of reactive sputtering, ferroelectric PZT thin films were obtained with high-deposition rate of 8nm/min at the low temperature of 450℃. A film deposited at a powder target with a stoichiometric composition of PZT of Pb:Ti:Zr=1:0.5:0.5 had almost the same crystal structure as that of a film produced using a composite target. The source of oxygen in PZT thin film in metallic mode of reactive sputtering was found to be from PbO pellets. For a (ZrO_2+Pb+Ti) mixture target, perovskite PZT thin film could not be obtained. This may be due to the differences in sputtering yield for Zr and ZrO_2 atoms or in the heat of formation for PbO and ZrO_2 molecules. |
| キーワード(和) | 強誘電体 / PZT / 反応性スパッタリング / 金属モード |
| キーワード(英) | Ferroelectric / PZT / Reactive sputtering / Metallic mode |
| 資料番号 | ICD99-106 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 金属モード反応性スパッタリングで複合、粉末、混合物ターゲットを用いて作製したPZT薄膜の特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties of PZT Thin Films Prepared at Various Targets with Metallic Mode Reactive Sputtering : Composite, Powder, and Mixture Targets |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体 / Ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） | PZT / PZT |
| キーワード(3)（和/英） | 反応性スパッタリング / Reactive sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | 金属モード / Metallic mode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金 済徳 / J.-D. Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部 Department of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川越 進也 / S. Kawagoe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部 Department of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐々木 公洋 / K. Sasaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部 Department of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 畑 朋延 / T. Hata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢大学工学部 Department of Electrical and Computer Engineering, Kanazawa University |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | ICD99-106 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |