| 講演名 | 1999/7/23 High Density FRAM Technology , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Ferroelectric random access memory (FRAM) has been considered as a future memory device due to its ideal properties for data storage element. In spite of the rapid progress in FRAM technology, the FRAM devices can not compete with their counterparts of memory devices because of their low density and poor cost-effectiveness. In this paper, FRAM devices are compared to other memory devices with respect of cell area and cell efficiency, and the current integration issues for developing high density FRAM are systematically reviewed, and finally future FRAM technology is suggested. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | High density FRAM / integration issues |
| 資料番号 | ICD99-104 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Density FRAM Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / High density FRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / KINAM KIM |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Technology Development Team, Memory Device Business, Samsung Electronics Co. |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | ICD99-104 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 9 |
| 発行日 | |