| 講演名 | 1999/7/23 Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性 徳光 永輔, 天野 敦弘, 藤井 厳, 石原 宏, |
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| 抄録(和) | 強誘電体ゲートトランジスタは次世代の不揮発性メモリ素子として期待されている。本研究では、上部MFMキャパシタと下部MIS構造の面積を独立に設定できる金属/強誘電体/金属/絶縁体/半導体(MFMIS)構造に着目し、強誘電体としてSrBi_2Ta_2O_9 (400nm)、絶縁体としてSiとの界面特性が良好なSiO_2 (6nm)を用いてMFMIS構造を作成し、その電気的特性を評価した。上部MFMキャパシタと下部MIS構造の面積比を1:10にすることで、4V以上の大きなメモリウインドウが得られ、さらにメモリ保持特性も改善されることを明らかにした。また、本構造を用いてMFMIS-FETを試作し不揮発性のメモリ機能を確認した。 |
| 抄録(英) | We report the fabrication and characterization of Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS structures and FETs. The area ratio of the Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt MFM capacitor to the Pt/SiO_2/Si MIS structure is varied from 1:10 to 1:10. It is found that by using a small MFM capacitor on a large MIS structure, a large memory window more than 4 V and a long data retention time can be obtained. Furthermore, non-volatile memory operations of Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS-FETs is demonstrated. |
| キーワード(和) | 強誘電体メモリ / 強誘電体ゲートトランジスタ / MFMISFET / SrBi_2Ta_2O_9 |
| キーワード(英) | ferroelectric memory / ferroelectric-gate transisitor / MFMISFET / SrBi_2Ta_2O_9 |
| 資料番号 | ICD99-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS Structures and FETs with Various Area Ratios of MFM capacitor to Pt Floating Gate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体メモリ / ferroelectric memory |
| キーワード(2)（和/英） | 強誘電体ゲートトランジスタ / ferroelectric-gate transisitor |
| キーワード(3)（和/英） | MFMISFET / MFMISFET |
| キーワード(4)（和/英） | SrBi_2Ta_2O_9 / SrBi_2Ta_2O_9 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 徳光 永輔 / Eisuke Tokumitsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision & Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 天野 敦弘 / Atsuhiro Amano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤井 厳 / Gen Fujii |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石原 宏 / Hiroshi Ishiwara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所:東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター Precision & Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology:Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | ICD99-103 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |