| 講演名 | 1999/7/23 Column Reference 1T1C Ferroelectric Memory , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Column reference 1T1C is introduced for providing stable reference level in ferroelectric memory, minimizing fatigue and achieving same electrical parameters with that of main memory cell. The column reference 1T1C is suitable for high reliable FeRAM of low power and high density. The major components of reference level shift tracer, sense amplifier and reference cell array are different from conventional 1T1C architecture. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Ferroelectric Memory / Column Reference 1T1C / Level Shift Tracer / Sense Amp. |
| 資料番号 | ICD99-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Column Reference 1T1C Ferroelectric Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Ferroelectric Memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / H. B. Kang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | LG Semicon., Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | ICD99-102 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |