| 講演名 | 1999/7/23 Dependence of Reverse Narrow Width Effect and Sub-threshold Hump Characteristics on the Gate length , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We have found that RNWE and sub-threshold hump characteristics strongly depend on the gate length and the hump get strongest at the gate length at which the threshold voltage is highest. We can explain it by the two effects below. First, as the gate-length gets shorter, the effective boron concentration at channel gets higher by halo and TED. Second, the boron depletion near STI gets higher at short gate-length than at long gate-length. It is because the boron depletion or pile-up is enhanced by TED due to S/D implant damage (interstitial). These two effects both results in the stronger RNWE and threshold hump at short gate-length than at the long gate-length. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | MOSFET / Hump / RNWE / STI / TED / Interstitial |
| 資料番号 | ICD99-95 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/23(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence of Reverse Narrow Width Effect and Sub-threshold Hump Characteristics on the Gate length |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jong-Wan Jung |
| 第 1 著者 所属（和/英） | LG Semicon Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/7/23 |
| 資料番号 | ICD99-95 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 234 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |