| 講演名 | 1999/7/22 低エネルギイオン照射を用いたシリコン薄膜形成時に生じるドーパント(As, P, Sb, B)の不活性化 熊巳 創, 進藤 亘, 本藤 哲史, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | 4種類のドーパント(As, P, Sb, B)対して低エネルギイオン照射(<30 eV)によるシリコン薄膜形成時の不活性化について研究を行った。キャリア濃度はイオン照射エネルギがある閾値を超えると下がり始めることがわかった。Bの場合は5eV以下、Asは18 eV、P は 13 eV、Sb は 10 eVで不活性化が起こることがわかった。これは本論文に示された原子半径差と電気的な効果を考慮した『ローカルストレスモデル』により説明される。これは実験結果と非常によく一致した。この不活性化エネルギはイオン照射エネルギに依存し、温度やイオン照射量には依存しない。よってイオン照射エネルギを精密に制御し、閾値を超えないようにエネルギ値を調整する必要がある。この知見は将来の LSIにとり大変重要である。 |
| 抄録(英) | Dopant deactivation by low-energy ton bombardment (<30 eV) has been investigated for several dopants (As, P, Sb, B). B is electrically deactivated by 5 eV argon ton bombardment while threshold energies for As, P and Sb are 18 eV, 13 eV and 10 eV, respectively. This result can be interpreted from the viewpoint of "local strain" caused by an atomic size difference and an electrical effect. Experimental results are found to be in excellent agreement with the local strain model presented in this paper. Since the dopant deactivation caused by local strain us dependent upon ion bombardment, ion bombardment energy must be precisely controlled to be lower than the threshold energy an order to achieve fully activated impurities in silicon crystals. |
| キーワード(和) | シリコン / プラズマ / イオンエネルギ / 不活性化 / ドーパント / ストレス |
| キーワード(英) | silicon / plasma / ion energy / deactivation / dopant / strain / damage |
| 資料番号 | ICD99-79 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 低エネルギイオン照射を用いたシリコン薄膜形成時に生じるドーパント(As, P, Sb, B)の不活性化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Plasma-Induced Dopant (As, P, Sb, B) Deactivation by Low-Energy Ion Bombardment (<30eV) during Silicon Epitaxial Growth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ / plasma |
| キーワード(3)（和/英） | イオンエネルギ / ion energy |
| キーワード(4)（和/英） | 不活性化 / deactivation |
| キーワード(5)（和/英） | ドーパント / dopant |
| キーワード(6)（和/英） | ストレス / strain |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 熊巳 創 / Hajime Kumami |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 進藤 亘 / Wataru Shindo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本藤 哲史 / Satoshi Hondo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科電子工学専攻 New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1999/7/22 |
| 資料番号 | ICD99-79 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 233 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |