| 講演名 | 1999/7/22 Control of Boron Lateral Diffusion by Nitrogen Implantation in Sub-0.15mm CMOS Devices , |
|
|---|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ | |
| 抄録(和) | ||
| 抄録(英) | Although LDD nitrogen implantation on NMOSFET can peculiarly improve hot carrier lifetime, it also develops short channel effects and I_| roll-off and thus channel length margin. These can be explained by the retardation of boron by nitrogen. Nitrogen directly affects the effective channel length by controlling the boron diffusion in channel direction. We can conclude that the nitrogen implantation technique has some trade-off between the device characteristics and the lifetime reliabilities in NMOSFET, but can provide more channel length margin in PMOSFET. | |
| キーワード(和) | ||
| キーワード(英) | Nitrogen implantation / CMOS / DAHC / channel length margin / effective channel length | |
| 資料番号 | ICD99-78 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of Boron Lateral Diffusion by Nitrogen Implantation in Sub-0.15mm CMOS Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Nitrogen implantation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / S.-K. Hong |
| 第 1 著者 所属（和/英） | LG Semicon Co., Ltd, R&D Division |
| 発表年月日 | 1999/7/22 |
| 資料番号 | ICD99-78 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 233 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |