| 講演名 | 1999/7/22 マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の低温形成 斉藤 祐司, 関根 克行, 平山 昌樹, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | 本報告では、ラジアルライン・スロットアンテナ (RLSA)によるマイクロ波励起高密度プラズマを用いて、400℃の低温で形成した極薄窒化膜の電気的特性について述べる。本窒化膜は界面準位密度が低く、等価酸化膜厚 (EOT) が等しいJVD窒化膜や熱酸化膜と比較してリーク電流が低いという特徴を持っている。さらに、高い絶縁耐圧を有し、高電界の電気的ストレスに対しても膜中のトラップやリーク電流の増加 (SILC)がほとんど観測されない。これにより、本窒化膜はFETのゲート絶縁膜として適用可能であることが示された。 |
| 抄録(英) | This paper focuses attention on electrical properties of ultra-thin silicon nitride films grown by radial line slot antenna (RLSA) high-density plasma system at 400℃ as an advanced gate dielectric film. The results show low density of interface trap and bulk charge, lower leakage current than jet vapor deposition (JVD) silicon nitride and thermally grown silicon oxide with same equivalent oxide thickness (EOT). Furthermore, they have high breakdown field intensity, almost no stress-induced leakage current, and very little trap generation even in high-field stress. |
| キーワード(和) | シリコン窒化膜 / 高密度プラズマ / イオン照射 / ゲート絶縁膜 |
| キーワード(英) | Silicon nitride / High-density plasma / Jon bombardment / Gate insulator |
| 資料番号 | ICD99-77 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高品質シリコン窒化膜の低温形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature formation of gate-grade silicon nitride film employing microwave-excitation high-density plasma |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン窒化膜 / Silicon nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 高密度プラズマ / High-density plasma |
| キーワード(3)（和/英） | イオン照射 / Jon bombardment |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate insulator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 斉藤 祐司 / Yuji Saito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 関根 克行 / Katsuyuki Sekine |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平山 昌樹 / Masaki Hirayama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同開発センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1999/7/22 |
| 資料番号 | ICD99-77 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 233 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |