| 講演名 | 1999/7/22 リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長 吉田 明, 若原 昭浩, 内海 一肇, ベイ インホ, |
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| 抄録(和) | リモートプラズマプロセスにより、200℃以下室温に到る基板温度にて、Siエピタキシャル成長を行ったので、実験結果を紹介する。同軸型に配置した外部供給路にアルゴン/水素高周波プラズマを発生させるとともに内部管路にジシランを供給し、Si(100)基板真上にて混合励起分解させ、成膜を行った。基板温度、高周波電力、ガス流量依存性を調べた。成長膜は、RHEED, SEM, TEM, RBSにより評価した。 |
| 抄録(英) | We have been successful in growing Si epitaxial films below 473K and even at room temperature, using remote plasma-enhanced process. In this report, we review our experimental results on the Si low temperature epitaxy. A plasma tube in concentric arrangement was used: argon and/or hydrogen plasma excited with rf power was supplied through the outer glass tube, and disilane source gas was introduced through the inner stainless tube. In-situ surface cleaning with hydrogen plasma was essential. The dependence on the substrate temperature, rf power and gas flow rate has been investigated. The deposited films were characterized by RHEED, TEM and RBS measurements. |
| キーワード(和) | プラズマ励起プロセス / 低温エピタキシャル成長 / Si薄膜成長 / RBS |
| キーワード(英) | plasma-excited process / low temperature epitaxy / Si epitaxial growth / RBS |
| 資料番号 | ICD99-67 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low temperature epitaxy of Si by remote plasma process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマ励起プロセス / plasma-excited process |
| キーワード(2)（和/英） | 低温エピタキシャル成長 / low temperature epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | Si薄膜成長 / Si epitaxial growth |
| キーワード(4)（和/英） | RBS / RBS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / A. Yoshida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / A. Wakahara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 内海 一肇 / K. Utsumi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | ベイ インホ / In-Ho Bae |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 韓国嶺南大学校 Department of Physics, Yeungnam University |
| 発表年月日 | 1999/7/22 |
| 資料番号 | ICD99-67 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 233 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |