| 講演名 | 1999/7/22 Ultra-Low Energy Ion Implant Profile Prediction for sub 0.1μm Technologies , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In this paper, we present the phenomenological local damage accumulation model and results of highly efficient molecular dynamics simulation. Proposed local damage accumulation model is composed by deposited energy, history of recoil event and heat conductance in a cell, and also considers effects of self-relaxation and self-recombination. The results of MDRANGE with local damage accumulation model agree with the experimental results and results of other simulation. We also simulated various doses and various ultra-low energies boron and arsenic ion implantation and dopant distribution for sub 0.1 μm technologies in real space. We obtained dopant profiles by real Ton number corresponding to dose on 0.1 μm × 0.1μm silicon surface in the <100> channeling direction. In the cases of both B and As, as ion dose and implant energy increase, dopant profiles are much affected by locally accumulated damage. Especially, dopant profiles are much influenced by locally accumulated damage at doses above 10^<14>/cm^2 regardless of implant energy. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ICD99-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra-Low Energy Ion Implant Profile Prediction for sub 0.1μm Technologies |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jeong-Won KANG |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Semiconductor Process and Device Laboratory, Dept. of Electronic Engineering, Chung-Ang University |
| 発表年月日 | 1999/7/22 |
| 資料番号 | ICD99-66 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 233 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |