| 講演名 | 1999/1/22 デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET 松本 聡, 石山 俊彦, 平岡 靖史, 酒井 達郎, 谷内 利明, 上綱 秀樹, 村口 正弘, |
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| 抄録(和) | SOIデバイスに特有なボディフローティング効果を抑制できるQuasi-SOiパワーMOSFETをデバイス反転型のシリコンウエハー直接貼り合わせ法により製作し、そのDC特性と高周波特性を評価した。試作した素子の遮断周波数(fT)は11.5GHz、最高発振周波数(fmax)は11GHzであった。また、大信号動作時の評価を行ったところ、2GHz、3.6Vで電力付加効率68%の高効率を達成した。 |
| 抄録(英) | We have fabricated a quasi-SOI power MOSFET, which can suppress the body floating effect in the thin-film SOI power MOSFET, for multi-gigahertz applications. The device was formed by reversed silicon wafer direct bonding which enables easy use of a high-resistivity substrate. The cut off and maximum oscillation frequencies are 11.5 GHz and 11 GHz, respectively. The fabricated device has the excellent power added efficiency of 68%(@2GHz)at 3.6 V operation. |
| キーワード(和) | RFパワーMOSFET / SOI / Quasi-SOI |
| キーワード(英) | Radio frequency Power MOSFET / SOI / Quasi-SOI |
| 資料番号 | ED98-219,MW98-182,ICD98-286 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/1/22(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | デバイス反転型シリコンウエハ直接貼り合わせ法により製作したRF-Quasi-SOIパワーMOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Quasi-SOI Power MOSFET Fabricated by Reversed Silicon Wafer Direct Bonding for Radio Frequency Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RFパワーMOSFET / Radio frequency Power MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | Quasi-SOI / Quasi-SOI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 聡 / Satoshi Matsumoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT入出力システム研究所 NTT Integrated Information & Energy Systems Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石山 俊彦 / Toshihiko Ishiyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT入出力システム研究所 NTT Integrated Information & Energy Systems Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平岡 靖史 / Yasushi Hiraoka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT入出力システム研究所 NTT Integrated Information & Energy Systems Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 酒井 達郎 / Tatsuo Sakai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTT入出力システム研究所 NTT Integrated Information & Energy Systems Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 谷内 利明 / Toshiaki Yachi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTT入出力システム研究所 NTT Integrated Information & Energy Systems Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上綱 秀樹 / Hideki Kamitsuna |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTワイヤレスシステム研究所 NTT Wireless Systems Laboratories |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 村口 正弘 / Masahiro Muraguchi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NTTワイヤレスシステム研究所 NTT Wireless Systems Laboratories |
| 発表年月日 | 1999/1/22 |
| 資料番号 | ED98-219,MW98-182,ICD98-286 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 525 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |