| 講演名 | 1999/1/22 35V動作高出力FPFET 麻埜 和則, 三好 陽介, 石倉 幸治, 梨本 泰信, 葛原 正明, 水田 正志, |
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| 抄録(和) | AlGaAs/GaAs HFETにField-Modulating Plate(FP)を装荷した新構造の高出力FET(FPFET)を開発した。FP無しの従来構造に比べて20V近い耐圧の向上が得られ、さらにドレイン電流の周波数分散も大幅に抑制されることが確認された。本FETは1.5GHzにおいてドレイン電圧35Vまで動作し、Wg=4.5mm素子で出力7.5W(出力密度1.7W/mm)、電力付加効率52%という良好な値が得られた。 |
| 抄録(英) | This paper reports a novel high power AlGaAs/GaAs heterostructure FET with a field-modulating plate(FP-HFET), which accomplished dramatic increase of the gate-drain breakdown voltage with greatly suppressed drain-current pulse-dispersion characteristics. The fabricated FETs exhibited excellent power performance up to 35V at L-band, delivering the maximum power density of 1.7W/mm. |
| キーワード(和) | GaAs / HFET / 高出力FET / 耐圧 / ドレイン電流周波数分散 |
| キーワード(英) | GaAs / HFET / Power FET / Breakdown voltage / Frequency dispersion of the Drain current |
| 資料番号 | ED98-218,MW98-181,ICD98-285 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/1/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 35V動作高出力FPFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 35V Operation High Power AlGaAs/GaAs HFET with a Field-Modulating Plate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力FET / Power FET |
| キーワード(4)（和/英） | 耐圧 / Breakdown voltage |
| キーワード(5)（和/英） | ドレイン電流周波数分散 / Frequency dispersion of the Drain current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 麻埜 和則 / K. Asano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三好 陽介 / Y. Miyoshi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石倉 幸治 / K. Ishikura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 梨本 泰信 / Y. Nashimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / M. Kuzuhara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 水田 正志 / M. Mizuta |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1999/1/22 |
| 資料番号 | ED98-218,MW98-181,ICD98-285 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 525 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |