| 講演名 | 1999/1/22 携帯電話パワーアンプMMIC用E-Mode GaAs HJFET 吉田 貞義, 若林 良昌, 上村 和義, |
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| 抄録(和) | 携帯電話の長時間使用のためには、通話時間における低電力化(パワーアンプの電力効率向上)に加え、待ち受け時間時の低消費電力化が重要である。このためには、待ち受け時に、パワーアンプ(PA)のドレインリーク電流を遮断することが必要である。今回我々は、このために、ゲートバイアスをOVにした時のリーク電流を遮断できる完全エンハンスメント型GaAsヘテロジャンクションFET(E-HJFET)を新たに開発した。今回開発したE-HJFET(Vth=+0.23V)は、電源電圧3.5V、周波数836MHz、出力電力31.5dBmで電力付加効率(PAE)=79.6%と高効率を示し、かつゲートバイアスOVのリーク電流は0.7uA/mmと極めて小さい。本E-HJFETを用いたPA MMICを大信号シミュレーションにより回路設計した所、PAEが70%以上の高効率なPA MMICが得られることが示された。 |
| 抄録(英) | In order to increase the taking time of a handy phone, power-saving at the waiting time, as well as the taking time, is indispensable. For this purpose, we have newly developed a fully enhancement-mode GaAs HJFET(E-HJFET), where the drain leakage current can be cut off at zero gate-bias voltage. The developed E-HJFET(Vth=+0.23V)exhibited 31.5dBm output power, 79.6% power added efficiency(PAE)at 836MHz for 3.5V drain voltage operation. Moreover, the drain leakage current at Vgs=OV is as small as 0.7uA/mm. Power amplifier MMIC implemented by the developed E-HJFET was designed, predicting a high efficiency performance of 70%. |
| キーワード(和) | GaAs / パワーアンプ / エンハンスメントモード / ヘテロ接合FET / 電力付加効率 |
| キーワード(英) | GaAs / Power Amplifier / Enhancement / Hetero Junction FET / Power Added Efficiency |
| 資料番号 | ED98-213,MW98-176,ICD98-280 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1999/1/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 携帯電話パワーアンプMMIC用E-Mode GaAs HJFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | E-mode GaAs HJFET for Power Amplifier MMIC of Handy Phones |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | パワーアンプ / Power Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | エンハンスメントモード / Enhancement |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ接合FET / Hetero Junction FET |
| キーワード(5)（和/英） | 電力付加効率 / Power Added Efficiency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 貞義 / Sadayoshi Yoshida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 若林 良昌 / Yoshiaki Wakabayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 上村 和義 / Kazuyoshi Uemura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation. |
| 発表年月日 | 1999/1/22 |
| 資料番号 | ED98-213,MW98-176,ICD98-280 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 525 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |