| 講演名 | 1998/7/23 酸素のその場ドーピングを行った白金電極上にスパッタ法で形成したBST薄膜キャパシタの電気的特性 油谷 明栄, 奥平 智仁, 常峰 美和, 花房 潔, 柏原 慶一郎, 藤田 靖, 伊藤 博巳, 三好 寛和, |
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| 抄録(和) | 白金電極上にスパッタ法で形成したチタン酸バリウムストロンチウム(BST)薄膜キャパシタの電気的特性について調べた。まず, 白金に酸素のその場ドーピングを行うと, その量が十分な場合はリーク電流が減少することを見いだした。酸素が十分でない場合はリーク電流は逆に増加した。これは表面モフォロジの変化と, 酸素添加白金から酸素欠損箇所をもつBSTへの酸素原子の補償によると考えられた。次に, 電気的特性のBST堆積温度依存性について調べた。その結果, ある温度範囲では表面が荒れてキャパシタが短絡することを見いだした。この温度範囲では特殊な結晶相が生じていることが, X線回折の結果から判明した。またこの温度域より高い温度で堆積した膜の方が高い誘電率を持つことがわかった。以上をもとに, 厚さ30nmの膜を用いて, 酸化膜換算膜厚(t_ |
| 抄録(英) | Electrical properties of sputtered barium-strontium-titanate(BST)thin film capacitors with Pt electrodes are studied.It is found that sufficient in-situ oxygen doping to bottom Pt electrode decreases the leakage current.On the contrary, the leakage increases if oxygen is not sufficient.These results can be explained by the change of the surface morphology and compensation of oxygen vacancies in BST by oxygen-doped Pt.BST deposition temperature dependencde of electrical characteristics are also presented.At a certain temperature range BST films show rough surface and are short-circuited.X-ray diffraction pattern reveals that some unique phases are formed in this temperature range.Films deposited at higher temperature than this range are found to have better permittivity.Using 30nm-thick films, SiO_2-equivalent thickness (t_ |
| キーワード(和) | ダイナミックランダムアクセスメモリ / 薄膜キャパシタ / チタン酸バリウムストロンチウム / 酸素ドープ白金 / リーク電流 / 誘電率 |
| キーワード(英) | dynamic random access memories / thin film capacitors / barium strontium titanate / oxygen-doped platinum / leakage current / permittivity |
| 資料番号 | SDM98-89,ICD98-88 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 酸素のその場ドーピングを行った白金電極上にスパッタ法で形成したBST薄膜キャパシタの電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical properties of sputtered BST thin film capacitors on in-situ oxygen-doped platinum electrodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイナミックランダムアクセスメモリ / dynamic random access memories |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜キャパシタ / thin film capacitors |
| キーワード(3)（和/英） | チタン酸バリウムストロンチウム / barium strontium titanate |
| キーワード(4)（和/英） | 酸素ドープ白金 / oxygen-doped platinum |
| キーワード(5)（和/英） | リーク電流 / leakage current |
| キーワード(6)（和/英） | 誘電率 / permittivity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 油谷 明栄 / A. Yutani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 奥平 智仁 / T. Okudaira |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 常峰 美和 / Y. Tsunemine |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 花房 潔 / K. Hanafusa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 柏原 慶一郎 / K. Kashihara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 藤田 靖 / Y. Fujita |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング Ryoden Semiconductor System Engineering Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 伊藤 博巳 / H. Itoh |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 三好 寛和 / H. Miyoshi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1998/7/23 |
| 資料番号 | SDM98-89,ICD98-88 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 195 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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