| 講演名 | 1998/7/23 3つのしきい値電圧を有する極低電圧CMOS/SIMOX回路 藤井 孝治, 道関 隆国, 原田 充, |
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| 抄録(和) | 3つのしきい値電圧を有するMOSFETを用いた、極低電圧CMOS/SIMOX回路構成法について論ずる。論理回路部を低と中の2つのしきい値電圧のMOSFETにより、パワースイッチを高しきい値電圧のMOSFETにより、それぞれ構成する。従来の低電圧回路では、スタンバイ時のリーク電流を削減することはできても動作時のリーク電流を削減することはできなかった。本回路では、クリティカルパスを低しきい値MOSFETにより、非クリティカルパスを中しきい値MOSFETによりそれぞれ構成することで、速度性能を維持したまま、動作時のリーク電流を削減することができる。試作した0.5V, 5ns動作16-bit加算器では、動作時のリーク電流を60%削減できた。 |
| 抄録(英) | This paper describes a sub-1-V low-power circuit scheme based on triple-threshold(Vth)SIMOX devices.This circuit reduces active power dissipation as well as conventionally decreases standby power dissipation.The triple-Vth devices are a low-Vth device for critical CMOS circuits, a medium-Vth device for non-critical CMOS circuits, and a high-Vth device for power switch circuits.This organization is made possible by the superior power and speed performance of fully-depleted SIMOX devices, which have a small subthreshold swing and small junction capacitance.An experimental 16-bit adder shows a more than 60 % decrease in active power dissipation due to the leakage current with a delay time of 5 ns at 0.5V. |
| キーワード(和) | 3しきい値 / 低消費電力 / 低電圧 / SIMOX / CMOS / 加算器 |
| キーワード(英) | Triple Vth / Low power / Low supply voltage / SIMOX / CMOS / Adder |
| 資料番号 | SDM98-85,ICD98-84 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/7/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 3つのしきい値電圧を有する極低電圧CMOS/SIMOX回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Sub-1-V Triple-Threshold CMOS/SIMOX Circuit for Active Power Reduction |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3しきい値 / Triple Vth |
| キーワード(2)（和/英） | 低消費電力 / Low power |
| キーワード(3)（和/英） | 低電圧 / Low supply voltage |
| キーワード(4)（和/英） | SIMOX / SIMOX |
| キーワード(5)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(6)（和/英） | 加算器 / Adder |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤井 孝治 / Koji FUJII |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 道関 隆国 / Takakuni DOUSEKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 原田 充 / Mitsuru HARADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 発表年月日 | 1998/7/23 |
| 資料番号 | SDM98-85,ICD98-84 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 195 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |