講演名 | 1998/7/23 0.5V電源電圧における低スタンバイ電流CMOS設計法 川口 博, 野瀬 浩一, 桜井 貴康, |
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抄録(和) | 低消費電力のために0.5V程度の電源電圧にしたとき、MOSFETが動作するためには閾値を0.1~0.2Vにしなければならない。しかしこの時、スタンバイ時にゲートあたり10nA、つまり100万トランジスタで10mAのリーク電流が流れてしまう。本研究では、このリーク電流を抑えるための回路としてsuper cut-off CMOS(SCCMOS)を提案する。SCCMOSを用いることで電源電圧0.5V~0.8V、閾値0.1V~0.2Vでスタンバイ時のリーク電流がゲートあたり1pA以下に抑えることができる。 |
抄録(英) | If a VLSI should be operated in 0.5V~0.8V VDD range for low-power consumption, the threshold voltage of MOSFET's VTH, should be well below 0.5V to turn the MOSFET's on.The low VTH like 0.1V~0.2V, however, causes 10nA order subthreshold leakage current per logic gate in a standby mode, which leads to 10mA order standby current for one million gate VLSI's.In this paper, super cut-off CMOS(SCCMOS) circuit is proposed to overcome this situation.With the SCCMOS, an operation is possible under 0.5V~0.8V VDD with 0.1V~0.2V VTH and at the same time pA order standby current per logic gate can be achieved. |
キーワード(和) | 低消費電力 / スタンバイ電流 / SCCMOS / パストランジスタ |
キーワード(英) | Low power / Standby current / SCCMOS / Pass-transistor |
資料番号 | SDM98-83,ICD98-82 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 1998/7/23(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | 0.5V電源電圧における低スタンバイ電流CMOS設計法 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A CMOS Scheme for 0.5V Supply Voltage with Pico-Ampere Standby Current |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 低消費電力 / Low power |
キーワード(2)(和/英) | スタンバイ電流 / Standby current |
キーワード(3)(和/英) | SCCMOS / SCCMOS |
キーワード(4)(和/英) | パストランジスタ / Pass-transistor |
第 1 著者 氏名(和/英) | 川口 博 / Hiroshi Kawaguchi |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
第 2 著者 氏名(和/英) | 野瀬 浩一 / Kouichi Nose |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
第 3 著者 氏名(和/英) | 桜井 貴康 / Takayasu Sakurai |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
発表年月日 | 1998/7/23 |
資料番号 | SDM98-83,ICD98-82 |
巻番号(vol) | vol.98 |
号番号(no) | 195 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |