| 講演名 | 1998/7/23 A New Charge Pumping Device , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A new charge pumping device using the MOS capacitor is proposed and its operational characteristics are studied by the device simulations.The device has a structure similar to a MOSFET device, which consists of a charge source region, a floating node(the output), an MOS capacitor, and two potential barriers.The charges are collected into the inversion layer of MOS capacitor from the charge source region through the modulated barrier when the gate is turned on and they are transferred to the floating node through the fixed barrier while the gate turns off.Through the simulations, it is shown that the new device obtains the boosted voltage by the magnitude of about 1V. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Charge Pump / SOI / Potential Barrier / MOS Capacitor |
| 資料番号 | SDM98-81,ICD98-80 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/7/23(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | KOR |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A New Charge Pumping Device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Charge Pump |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / In-Young Chung |
| 第 1 著者 所属（和/英） | School of Electrical Engineering & ISRC, Seoul National University |
| 発表年月日 | 1998/7/23 |
| 資料番号 | SDM98-81,ICD98-80 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 195 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |