| 講演名 | 1998/7/23 Si共鳴トンネルMOSトランジスタの理論的研究 松尾 直人, 三浦 隆司, 浜田 弘喜, 中田 真一, 三好 正毅, |
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| 抄録(和) | 薄い誘電体膜をチャネル両端に持つ、Si共鳴トンネルMOSトランジスタ(Si resonant tunneling MOST:SIRTMOST)の特性を調べる。チャネル内電位と電界、相互コンダクタンス(gm)、サブスレッショルド係数(subthreshold swing:S)を計算する。gmとS値に関して、非対称SiO_2の形成を仮定して計算を行い、従来型MOSTとの対比を行う。又、チャネル両端のダブルバリアにより、従来型MOSTの物理的限界を延長できることを示す。 |
| 抄録(英) | New MOST(metal oxide semiconductor transistor)with the thin dielectric film at the both edges of the channel(Si Resonant Tunneling MOST:SIRTMOST)is investigated.The potential and the electric field of the channel, the transconductance gm and the subthreshold swing S-value of the SIRTMOST are calculated.Assuming the asymmetric SiO_2 at the both edges of the channel, gm and S-value of the SIRTMOST are compared with those of the conventional(Conv.)MOST.It is also shown that the double-barriers formed at the both edges of the channel extends the physical limit of the Conv.MOST. |
| キーワード(和) | Si共鳴トンネルMOSトランジスタ / 相互コンダクタンス / サブスレッショルド係数 |
| キーワード(英) | Si Resonant Tunneling MOST:SIRTMOST / transconductance / subthreshold swing |
| 資料番号 | SDM98-80,ICD98-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/7/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | Si共鳴トンネルMOSトランジスタの理論的研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Study of Si Resonant Tunneling MOS Transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si共鳴トンネルMOSトランジスタ / Si Resonant Tunneling MOST:SIRTMOST |
| キーワード(2)（和/英） | 相互コンダクタンス / transconductance |
| キーワード(3)（和/英） | サブスレッショルド係数 / subthreshold swing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / Naoto MATSUO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三浦 隆司 / Takashi MIURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浜田 弘喜 / Hiroki HAMADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Center, SANYO Electric Co., Ltd., |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中田 真一 / Shin-ichi NAKATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三好 正毅 / Tadaki MIYOSHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Yamaguchi University |
| 発表年月日 | 1998/7/23 |
| 資料番号 | SDM98-80,ICD98-79 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 195 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |