| 講演名 | 1998/7/23 ダブルゲートSOI MOSFETの動作理論および特性 鈴木 邦広, |
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| 抄録(和) | ダブルゲートSOI MOSFETは、バルクMOSFETのスケーリング限界の制約を受けないデバイスとして期待されている。その優れたショートチャンネル耐性、高い相互コンダクタンス、理想的なサブスレッショルド係数が理論、実験の両面から研究されてきた。ここでは、我々がこれまでこのデバイスに対して発展させてしたモデルおよび製作技術をまとめ、このデバイスの特徴的な特性がどのようにモデル化されるのかを示し、さらに0.1μmゲート長の領域でのデバイス設計指針を明確化する。 |
| 抄録(英) | Double-gate SOI MOSFETs were proposed to overcome the bulk MOSFETs' scaling limit.Superb short channel effect immunity, high transconductance, and ideal subthreshold swing have been reported by many theoretical and experimental studies on this device.We summarized our model and technology developed for double gate SOI MOSFETs having various combination of gate dopant type, clarified its prominent device characteristics, and showed a gaidance how to design this device in sub 0.1 μm gate length regime. |
| キーワード(和) | MOSFET / SOI / ダブルゲート / スケーリング理論 |
| キーワード(英) | MOSFET / SOI / Double-gate / Scaling theory |
| 資料番号 | SDM98-79,ICD98-78 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/7/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ダブルゲートSOI MOSFETの動作理論および特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Models and Technology of Double-Gate SOI MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | ダブルゲート / Double-gate |
| キーワード(4)（和/英） | スケーリング理論 / Scaling theory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 邦広 / Kunihiro Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/7/23 |
| 資料番号 | SDM98-79,ICD98-78 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 195 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |