| 講演名 | 1998/7/23 Vth揺らぎを抑制するデルタドープ型MOSFETのスケーリング 安田 有理, 高宮 真, 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | MOSFET微細化の限界要因の一つと考えられている不純物の統計的揺らぎの影響をデルタドープ型MOSFETについて解析した.不純物揺らぎによる閾値電圧ばらつきはデルタドープ型MOSFETにすることで低減される.閾値電圧ばらつきを各世代で一定に抑制するデルタドープ型MOSFETのスケーリング方法を定量的に示し, 各デバイスパラメータの関係について考察した.デルタドープ型MOSFETの閾値電圧ばらつきは単純にスケールすると世代ごとに増大するが, 高濃度層濃度N2～K^<1.3>および低濃度層膜厚tl～K^<-0.4>でスケールするとばらつきを一定に抑制することができる.このスケーリング方法はレトログレードチャネルMOSFETにも適用可能である. |
| 抄録(英) | We have analyzed the Vth fluctuations due to the statistical fluctuations in the number of channel impurity atoms in scaled delta-doped MOSFET and proposed a new scaling method with constant Vth fluctuations.Although the Vth fluctuations increase if the deltadoped MOSFET is simply scaled down, they can be kept constant when the device is scaled as N2～K^<1.3> and tl～K^<-0.4>, where N2 is impurity concentration of the bottom layer with a high concentration, tl is the thickness of the upper layer with a low concentration, and K is the scaling factor.The scaling method proposed in this study can be applied to the retrogradechannel MOSFET. |
| キーワード(和) | 不純物の統計的揺らぎ / 閾値電圧ばらつき / デルタドープ型MOSFET / スケーリング / レトログレードチャネルMOSFET |
| キーワード(英) | statistical impurity fluctuations / Vth fluctuations / delta-doped MOSFET / scaling / retrogradechannel MOSFET |
| 資料番号 | SDM98-78,ICD98-77 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/7/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | Vth揺らぎを抑制するデルタドープ型MOSFETのスケーリング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scaling of delta-doped channel MOSFET with suppressed statistical Vth fluctuations |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不純物の統計的揺らぎ / statistical impurity fluctuations |
| キーワード(2)（和/英） | 閾値電圧ばらつき / Vth fluctuations |
| キーワード(3)（和/英） | デルタドープ型MOSFET / delta-doped MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | スケーリング / scaling |
| キーワード(5)（和/英） | レトログレードチャネルMOSFET / retrogradechannel MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安田 有理 / Yuri YASUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所, 中央大学理工学研究科 Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Faculty of Science and Engineering, Chuo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高宮 真 / Makoto TAKAMIYA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所, 東京大学VDEC Institute of Industrial Science, University of Tokyo VLSI Design and Education Center, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 1998/7/23 |
| 資料番号 | SDM98-78,ICD98-77 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 195 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |