| 講演名 | 1998/6/19 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術 渡辺 重佳, 大脇 幸人, 野口 充宏, 布施 常明, 須之内 一正, 川口谷 ひとみ, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 高速低消費電力特性、ショートチャネル効果低減が可能な基板オーバーバイアス方式を新たに提案した。この技術を0.08umプロセスを用いたテストチップで技術検証し、電源電圧0.5Vでゲート当たりの遅延時間40ps(2GHz動作相当)の高速特性を実現した。 |
| 抄録(英) | The substrate over-biasing technique together with gate-substrate tie technique has been proposed. This circuitry satisfies the highest speed, low leakage current and compatibility with presentry available circuit technologies. With 80nm process technology, 40ps gate delay which correspond to 2GHz operation is achievable at 0.5V supply voltage. |
| キーワード(和) | 0.5V動作 / サブ0.1um / しきい値電圧 / 基板バイアス効果 |
| キーワード(英) | 0.5V supply voltage / sub-0.1un device / substrate over-biasing technology |
| 資料番号 | ED98-72,SDM98-72,ICD98-71 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/6/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A sub-0.1um circuit design with substrate-over-biasing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 0.5V動作 / 0.5V supply voltage |
| キーワード(2)（和/英） | サブ0.1um / sub-0.1un device |
| キーワード(3)（和/英） | しきい値電圧 / substrate over-biasing technology |
| キーワード(4)（和/英） | 基板バイアス効果 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所 Research and Development Center, Advanced Semiconductor Devices Research Laboratories, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大脇 幸人 / Yukihito Oowaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所 Research and Development Center, Advanced Semiconductor Devices Research Laboratories, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野口 充宏 / Mitsuhiro Noguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所 Research and Development Center, Advanced Semiconductor Devices Research Laboratories, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 布施 常明 / Tuneaki Fuse |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所 Research and Development Center, Advanced Semiconductor Devices Research Laboratories, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 須之内 一正 / Kazumasa Sunouchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 Research and Development Center, Advanced Semiconductor Devices Research Laboratories, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 川口谷 ひとみ / Hitomi Kawaguchiya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 Research and Development Center, Advanced Semiconductor Devices Research Laboratories, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 1998/6/19 |
| 資料番号 | ED98-72,SDM98-72,ICD98-71 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |