| 講演名 | 1998/6/19 AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器 天宮 泰, 丹羽 隆樹, 永野 暢雄, 間々田 正行, 鈴木 康之, 嶋脇 秀徳, |
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| 抄録(和) | HBT ICの実用に向けて重要な課題である消費電力の低減を目的として、微細HBTの高周波特性向上をはかった。高速性と低消費電力性の両立を阻害する要因がエミッタ抵抗であることを見出すとともに、エミッタ層のドーピングプロファイルの最適化によりエミッタ抵抗を従来比1/5に低減した結果、素子遅延時間のエミッタ面積依存性が従来比30%に抑制され、エミッタ面積S_E:15μm^2でf_r:140GHz、S_E:2.7μm^2の微細素子でもf_r:110GHzの高速性能を得た。この微細HBTを用いて試作した低消費電力型分周器において、1W以下の消費電力のもと40GHzの分周動作を実現した。 |
| 抄録(英) | This paper reports 40-GHz frequency dividers with low power dissipation P_diss fabricated using high-performance AlGaAs/InGaAs HBTs. The high-speed performance of small-emitter-area HBTs was markedly improved by analyzing the device delay time and reducing the emitter resistance R_E. An f_T of above 110 GHz and an f_max of 250 GHz were achieved with a small emitter area of 2.7μm^2. A frequency divider fabricated using these high-speed, small-emitter-area HBTs achieved 40-GHz operation with an output voltage of 0.6V_P-P and a low P_diss of 0.9 W. The power dissipation is reduced by 43% compared with that for conventional sized HBTs. |
| キーワード(和) | HBT / 低消費電力 / 微細化 / 40GHz分周器 |
| キーワード(英) | HBT / low power dissipation / small emitter area / 40-GHz frequency divider |
| 資料番号 | ED98-70,SDM98-70,ICD98-69 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/6/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 40-GHz frequency dividers with reduced power dissipation fabricated using high-speed, small-emitter-area AlGaAs/InGaAs HBTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(2)（和/英） | 低消費電力 / low power dissipation |
| キーワード(3)（和/英） | 微細化 / small emitter area |
| キーワード(4)（和/英） | 40GHz分周器 / 40-GHz frequency divider |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 天宮 泰 / Yasushi Amamiya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 丹羽 隆樹 / Takaki Niwa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永野 暢雄 / Nobuo Nagano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 間々田 正行 / Masayuki Mamada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鈴木 康之 / Yasuyuki Suzuki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 嶋脇 秀徳 / Hidenori Shimawaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1998/6/19 |
| 資料番号 | ED98-70,SDM98-70,ICD98-69 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |