講演名 1998/6/19
高速低電力GaAsディレイフリップフロップの設計、試作、評価
佐藤 輝忠, 榎本 忠儀, 廣部 厚紀, 岩田 治也, 大橋 政芳, 藤井 正浩, 吉田 信秀, 浅井 周二,
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抄録(和) 0.25μm GaAs HJFET技術を用いて、ネガティブエッジ形ディレイフリップフロップ(D-FF)を設計・試作・評価した。本D-FFのチップサイズは592×662μm^2、活性領域面積は113×178μm^2である。電源電圧(V_dd)1.1Vのとき、本D-FFの最高動作周波数は7.15GHzであった。V_dd=1.1V、疑似ランダムレート7.15Gbps、パターン長(2^9-1)の入力信号を印加した時、エラーレート10^-9以下で動作することを確認した。V_dd=0.58Vのとき、最高動作周波数5GHz、消費電力1.93mWであった。5GHz動作で、1.93mW、は世界最小である。
抄録(英) A delay flip-flop(D-FF)was fabricated by using 0.25μm GaAs HJFET technology. The chip size is 592×662μm^2 and an active area is 113×178μm^2. The maximum operating clock frequencies(f_mc)of this D-FF was 7.15GHz at 1.1V supply voltages(V_dd). Clear, wide eye openings were obtained in a f_mc range up to 7.15GHz. Operating speeds were confirmed at an error rate of less than 10^-9 with a(2^9-1)pseudo-random signal. This D-FF operated at 5GHz on V_dd=0.58V, and its power dissipation was 1.93mW, which is the world lowest power dissipation.
キーワード(和) GaAs HJFET / ディレイフリップフロップ / ラッチ
キーワード(英) GaAs HJFET / Delay Flip-Flop / Latch
資料番号 ED98-69,SDM98-69,ICD98-68
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 1998/6/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高速低電力GaAsディレイフリップフロップの設計、試作、評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) A High Speed and Low Power GaAs Delay Flip-Flop
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) GaAs HJFET / GaAs HJFET
キーワード(2)(和/英) ディレイフリップフロップ / Delay Flip-Flop
キーワード(3)(和/英) ラッチ / Latch
第 1 著者 氏名(和/英) 佐藤 輝忠 / H Satoh
第 1 著者 所属(和/英) 中央大学
Chuo University
第 2 著者 氏名(和/英) 榎本 忠儀 / T Enomoto
第 2 著者 所属(和/英) 中央大学
Chuo University
第 3 著者 氏名(和/英) 廣部 厚紀 / A Hirobe
第 3 著者 所属(和/英) 中央大学
Chuo University
第 4 著者 氏名(和/英) 岩田 治也 / T Iwata
第 4 著者 所属(和/英) 中央大学
Chuo University
第 5 著者 氏名(和/英) 大橋 政芳 / M Oh-hashi
第 5 著者 所属(和/英) 中央大学
Chuo University
第 6 著者 氏名(和/英) 藤井 正浩 / M Fujii
第 6 著者 所属(和/英) 日本電気(株)
NEC Corporation
第 7 著者 氏名(和/英) 吉田 信秀 / N Yoshida
第 7 著者 所属(和/英) 日本電気(株)
NEC Corporation
第 8 著者 氏名(和/英) 浅井 周二 / S Asai
第 8 著者 所属(和/英) 日本電気(株)
NEC Corporation
発表年月日 1998/6/19
資料番号 ED98-69,SDM98-69,ICD98-68
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 121
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日