| 講演名 | 1998/6/19 800Mbps動作DDRメモリ対応DLLおよび90°位相シフタ 吉村 勉, 中瀬 泰伸, 渡邊 直也, 諸岡 毅一, 兵三 正彦, 松田 吉雄, 熊野谷 正樹, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 高速メモリ用DLL回路および90°位相シフタを0.35umCMOSプロセスで開発した。本DLL回路では, チップの温度変化によるロック外れを防ぐために, ロック外れ検出・リカバー回路を新たに考案した。また, 90°位相シフタはEXOR論理による遅延制御回路で構成されている。測定の結果, 800Mbps動作時で位相オフセット120ps以下, ジッタ100psを実現している。また消費電力は2.5V電源電圧, 800Mbps動作時で35mWとなる。 |
| 抄録(英) | This paper proposes an analog DLL for high-speed DDR memories. To minimize jitters, the DLL starts the lock-in process at the minimum delay of the delay line. But this DLL may lose the lock when the temperature increases. A finite-state machine is designed to solve the problem. We also proposes a 90-degree phase shifter with a small offset. The measured static phase offset is less than 120ps at the 2.5V and 800Mbps. This device is fabricated with 0.35μm CMOS technology. |
| キーワード(和) | DLL回路 / スキュー制御 / ロック外れ防止 / 低ジッタ / 同期型メモリ |
| キーワード(英) | DLL circuit / Skew control / Lock recovery / Low jitter / Synchronous memory |
| 資料番号 | ED98-65,SDM98-65,ICD98-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/6/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 800Mbps動作DDRメモリ対応DLLおよび90°位相シフタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Delay-Locked Loop and 90-degree Phase Shifter for 800Mbps Double Data Rate Memories |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DLL回路 / DLL circuit |
| キーワード(2)（和/英） | スキュー制御 / Skew control |
| キーワード(3)（和/英） | ロック外れ防止 / Lock recovery |
| キーワード(4)（和/英） | 低ジッタ / Low jitter |
| キーワード(5)（和/英） | 同期型メモリ / Synchronous memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉村 勉 / Tsutomu Yoshimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機システムLSI事業化推進センター System LSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中瀬 泰伸 / Yasunobu Nakase |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機システムLSI事業化推進センター System LSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡邊 直也 / Naoya Watanabe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機USLI開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 諸岡 毅一 / Yoshikazu Morooka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機USLI開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 兵三 正彦 / Masahiko Hyozo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機システムLSI事業化推進センター System LSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松田 吉雄 / Yoshio Matsuda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機システムLSI事業化推進センター System LSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 熊野谷 正樹 / Masaki Kumanoya |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機USLI開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1998/6/19 |
| 資料番号 | ED98-65,SDM98-65,ICD98-64 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |