| 講演名 | 1998/6/19 Slightly Boostingを用いた5.3GB/sロジック混載用SDRAMコアの開発 野田 英行, 山崎 彰, 山形 整人, 林 勇, 有本 和民, 山田 通裕, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | システムLSIの性能向上のためには、用いられるトランジスタの特性を改善することが重要である。今回ロジック混載用DRAMにおいて、ワード線昇圧レベルV_PPを外部電源電圧レベルV_CC程度まで下げる設計手法(slightly boosting)を提案し、トランジスタのtoxを薄くして高性能化を図った。これによりロジック混載用SDRAMコアを開発し、166MHzでRASレイテンシ4サイクルのアクセスを確認した。またグラフィックス応用に有利なブロックライト機能、DRAMコアのテスト容易化のために搭載したテスト回路についても照介する。 |
| 抄録(英) | It is a key issue to improve transistor performance for developing system LSIs. This paper proposes a slightly boosting scheme which reduces the boosted voltage(V_PP)for the word line voltage to almost the same level as the external power supply(V_CC). Using this scheme, and embedded SDRAM core, which operates at a 166MHz clock frequency and achieves 4 cycles of RAS latency, has been developed. The block write operation for graphic applications and the test circuit built in the core for testing the DRAM core directly are also introduced. |
| キーワード(和) | 混載用DRAM / スライトリー・ブースティング / ブロックライト / テスト回路 |
| キーワード(英) | embedded DRAM / slightly boosting / block write / test circuit |
| 資料番号 | ED98-64,SDM98-64,ICD98-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/6/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Slightly Boostingを用いた5.3GB/sロジック混載用SDRAMコアの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 5.3GB/s embedded SDRAM core with slightly boosting scheme |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 混載用DRAM / embedded DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | スライトリー・ブースティング / slightly boosting |
| キーワード(3)（和/英） | ブロックライト / block write |
| キーワード(4)（和/英） | テスト回路 / test circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野田 英行 / H Noda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山崎 彰 / A Yamazaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山形 整人 / T Yamagata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 林 勇 / I Hayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 有本 和民 / K Arimoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山田 通裕 / M Yamada |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI技術開発センター ULSI Development Center, Mitsubishi Electric Corp. |
| 発表年月日 | 1998/6/19 |
| 資料番号 | ED98-64,SDM98-64,ICD98-63 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |