| 講演名 | 1998/6/19 低電圧SRAMのためのDynamic Leakage Cut-off設計法 川口 博, 井高 康仁, 桜井 貴康, |
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| 抄録(和) | サブスレッショルド漏れ電流を許容できる範囲内に維持しながら, ゲート酸化膜に過剰な電圧を加えることなく, 従来のSRAMより2.5倍高速な電源電圧0.5V動作のSRAM回路を提案する.選択されていないメモリセルのNウェルおよびPウェル電圧をそれぞれ2V_DDおよび-V_DDに逆バイアスする一方で、選択されたメモリセルのNウェルおよびPウェル電圧を動的ににそれぞれV_DDおよびV_SSに変化させることによってメモリセルのしきい値電圧を低く設定することができ, かつサブスレッショルド漏れ電流を抑えることができる. |
| 抄録(英) | A 0.5V SRAM circuit scheme is proposed and fabricated which speeds up the conventional low-voltage SRAM by a factor of 2.5 without applying excessive voltage to gate oxide and with maintaining the subthreshold leakage current in a tolerable level. N-and P-well bias voltage are dynamically changed to V_DD and V_SS respectively for selected memory cells, while the well bias of the dormant memory cells are kept 2V_DD and -V_DD. |
| キーワード(和) | 低電圧SRAM / 低電力SRAM / サブスレッショルド漏れ電流 / ゲート酸化膜破壊電圧 / トリプルウェル技術 / 基板バイアス効果 |
| キーワード(英) | low-voltage SRAM / low-power SRAM / subthreshold leakage current / gate-oxide breakdown voltage / triple-well technology / body-effect |
| 資料番号 | ED98-62,SDM98-62,ICD98-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/6/19(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低電圧SRAMのためのDynamic Leakage Cut-off設計法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dynamic Leakage Cut-off Scheme for Low-Voltage SRAM's |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低電圧SRAM / low-voltage SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 低電力SRAM / low-power SRAM |
| キーワード(3)（和/英） | サブスレッショルド漏れ電流 / subthreshold leakage current |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート酸化膜破壊電圧 / gate-oxide breakdown voltage |
| キーワード(5)（和/英） | トリプルウェル技術 / triple-well technology |
| キーワード(6)（和/英） | 基板バイアス効果 / body-effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川口 博 / Hiroshi Kawaguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井高 康仁 / Yasuhito Itaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 桜井 貴康 / Takayasu Sakurai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 1998/6/19 |
| 資料番号 | ED98-62,SDM98-62,ICD98-61 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |