講演名 | 1998/6/18 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC 山本 和也, 森脇 孝雄, 吉井 泰, 長明 健一郎, 藤井 隆行, 大辻 順, 宮崎 行雄, 西谷 和雄, |
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抄録(和) | 1.9GHz帯, 2V動作GaAs送受信一体化MMICを低コスト・量産性に適したプレーナ構造SAGFETを用いて開発した.本ICは, 電力増幅器, 送受信切替スイッチ, 低雑音増幅器からなるRFフロントエンド回路に加えて, 倍電圧・負電圧発生回路及び制御ロジック回路を集積化することで, 単一電源動作だけでなく, 2Vの低電圧動作におけるスイッチの許容送信電力の向上を図っている.設計・試作の結果, 1.9GHz帯PHS変調波に対して, 電力増幅器は出力21dBm(ACP<-55dBc), 電力付加効率39%, 付随利得30dB, スイッチは許容送信電力24dBm, 挿入損失0.55dB, 低雑音増幅器は利得14dB, NF1.7dB, という良好な特性を呈した. |
抄録(英) | A 1.9-GHz-band, 2-Voperation GaAs single-chip T/R-MMIC has been successfully developed using planar self-aligned gate FET structures suitable for low-cost and high-volume production. The IC includes a negative-voltage generator with voltage doubler and a logic circuit to control transmit and receive functions, together with RF front-end analog circuits-a power amplifier, a T/R-switch, and a low-noise amplifier. The generator and logic circuit incorporated onto the IC enable 2-V single voltage operation, and enhance the switch power handling capability. In transmit mode, the power amplifier is capable of delivering a 21-dBm output power and a 30-dB associated gain with 39% efficiency. In receive mode, the low-noise amplifier achieves a 1.7-dB noise figure and a 14-dB associated gain. The IC is expected to contribute to the realization of smaller, lighter-weight personal communication terminals. |
キーワード(和) | 送受信一体化 / 1.9GHz帯 / 2V動作 / 単一電源動作 / GaAsFET |
キーワード(英) | single-chip transceiver / 1.9-GHz / 2-V operation / single-voltage operation / GaAsFET |
資料番号 | ED98-59,SDM98-59,ICD98-58 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 1998/6/18(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A 1.9-GHz-Band, 2-V Operation GaAs Single-Chip T/R-MMIC for Personal Communications |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 送受信一体化 / single-chip transceiver |
キーワード(2)(和/英) | 1.9GHz帯 / 1.9-GHz |
キーワード(3)(和/英) | 2V動作 / 2-V operation |
キーワード(4)(和/英) | 単一電源動作 / single-voltage operation |
キーワード(5)(和/英) | GaAsFET / GaAsFET |
第 1 著者 氏名(和/英) | 山本 和也 / Kazuya YAMAMOTO |
第 1 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 森脇 孝雄 / Takao MORIWAKI |
第 2 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 吉井 泰 / Yutaka YOSHII |
第 3 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
第 4 著者 氏名(和/英) | 長明 健一郎 / Kenichiro CHOUMEI |
第 4 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
第 5 著者 氏名(和/英) | 藤井 隆行 / Takayuki FUJII |
第 5 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
第 6 著者 氏名(和/英) | 大辻 順 / Jun OTSUJI |
第 6 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
第 7 著者 氏名(和/英) | 宮崎 行雄 / Yukio MIYAZAKI |
第 7 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
第 8 著者 氏名(和/英) | 西谷 和雄 / Kazuo NISHITANI |
第 8 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
発表年月日 | 1998/6/18 |
資料番号 | ED98-59,SDM98-59,ICD98-58 |
巻番号(vol) | vol.98 |
号番号(no) | 120 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |