| 講演名 | 1998/6/18 単一電源HJFET MMIC 上村 和義, 吉田 貞義, 及川 隆一, 若林 良昌, 河野 通久, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaAsMMICの単一電源動作化菓のために、しきい値電圧が-0.1Vの疑似エンハンスメント型HJFETを開発した。このHJFETは極めて浅いしきい値電圧にも関わらず最大ドレイン電流370mA/mm、最大相互コンダクタンス350mS/mmとパワー素子用FETとして良好な性能示した。このHJFETを用いて単一電源動作PDC用パワーアンプMMICを設計、試作した。その結果、電源電圧3.4V単一電源、周波数950MHz、π/4QPSK信号入力、出力30.5dBm時に電力付加効率53.1%、隣接チャネル漏洩電力-48dBcの良好な性能を得た。 |
| 抄録(英) | We have developed quasi-enhancement mode Hetero Junction FET(HJFET) for single supply voltage operation.This HJFET has -0.1V threshold voltage and demonstrates 370mA/mm maximum drain current and 350mS/mm trans-conductance. By utilizing the HJFET, we have developed power amplifier MMIC for 950MHz personal digital cellular phones. The MMIC gave 30.5dBm output power and 53.1% power added efficiency with -48dBc adjacent channel leakage power at 50KHz off-center frequency under 3.4V single supply voltage. |
| キーワード(和) | 化合物半導体 / 電界効果トランジスタ / ヘテロ接合 / MMIC / PDC |
| キーワード(英) | Compound semiconductor / Field-effect transistor / Hetero junction / MMIC / Personal Digital Cellular |
| 資料番号 | ED98-57,SDM98-57,ICD98-56 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/6/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 単一電源HJFET MMIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hetero Junction FET and MMIC for Single Voltage Operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 化合物半導体 / Compound semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | 電界効果トランジスタ / Field-effect transistor |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ接合 / Hetero junction |
| キーワード(4)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(5)（和/英） | PDC / Personal Digital Cellular |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上村 和義 / Kazuyoshi Uemura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 貞義 / Sadayoshi Yoshida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 及川 隆一 / Ryuichi Oikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 若林 良昌 / Yoshiaki Wakabayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 河野 通久 / Michihisa Kohno |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1998/6/18 |
| 資料番号 | ED98-57,SDM98-57,ICD98-56 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 120 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |