| 講演名 | 1998/6/18 携帯電話用単一電源パワーアンプ技術 川合 貴久, 森内 俊明, Abey Warren, Kennan Wayne, 鈴木 雅久, |
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| 抄録(和) | 携帯機器における小型化・軽量化・低コスト化の要求に答えるべく、新規に完全エンハンスメントモードMMICプロセスを開発した。ディスクリートFETの特性は電源電圧4.8V、900MHzで飽和出力27dBm, 効率71%であり、Vgs=0V時の漏れ電流は0.2μAであった。この技術を用いてAMPS, TDMA, CDMA, GSM用パワーアンプMMICを開発した。単一電源の携帯機器における長所とデバイスの基本特性について報告する。 |
| 抄録(英) | Demands of compact and low cost mobile phone products drove us to develop a new complete enhancement-mode MMIC process. The discrete FET achieved the saturated output power of 27dBm and the power added efficiency of 71% at 900MHz with 4.8V. The leakage current at Vgs=0V was 0.2μA. PA MMICs for AMPS, TDMA, CDMA, and GSM were developed based on that technology. The advantage of single power supply requirement in mobile products and the PA performances are reported. |
| キーワード(和) | 単一電源 / パワーアンプ / エンハンスメント / GaAs / MESFET / MMIC |
| キーワード(英) | Single Power Supply / Power Amplifier / Enhancement / GaAs / MESFET / MMIC |
| 資料番号 | ED98-56,SDM98-56,ICD98-55 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/6/18(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 携帯電話用単一電源パワーアンプ技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Single Power Supply PA Technology for Mobile Phones |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単一電源 / Single Power Supply |
| キーワード(2)（和/英） | パワーアンプ / Power Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | エンハンスメント / Enhancement |
| キーワード(4)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(5)（和/英） | MESFET / MESFET |
| キーワード(6)（和/英） | MMIC / MMIC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川合 貴久 / Takahisa Kawai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森内 俊明 / Toshiaki Moriuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | Fujitsu Compound Semiconductor Incorporated Fujitsu Compound Semiconductor Incorporated |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | Abey Warren / Warren Abey |
| 第 3 著者 所属（和/英） | Fujitsu Compound Semiconductor Incorporated Fujitsu Compound Semiconductor Incorporated |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | Kennan Wayne / Wayne Kennan |
| 第 4 著者 所属（和/英） | Fujitsu Compound Semiconductor Incorporated Fujitsu Compound Semiconductor Incorporated |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鈴木 雅久 / Masahisa Suzuki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Limited |
| 発表年月日 | 1998/6/18 |
| 資料番号 | ED98-56,SDM98-56,ICD98-55 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 120 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |