| 講演名 | 1998/8/21 AD混載LSIのための低雑音CMOS論理回路 土方 克昌, 加島 洋二, 永田 真, 森江 隆, 岩田 穆, |
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| 抄録(和) | 現在主流のCMOS論理回路では, スイッチング時に流れる大きな過渡電流が電源線やグランド線に寄生するインピーダンスに流れることによりスイッチング雑音が発生し, AD混載LSIでは基板を介してアナログ回路に漏れてその性能を落とす.スイッチング雑音は, 負荷容量の充放電による雑音と微分雑音に大別され, このうち前者の雑音発生を抑圧する低雑音CMOS論理回路SCL (Slowly Charging Logic) を提案する.0.35μmCMOSプロセス技術により試作した基板雑音評価チップを測定し, SCLの雑音発生量を評価した.通常のCMOS論理回路と比較してSCLの雑音発生量は, ピーク値で約半分に, 雑音電力で約1/3にできることを確認した. |
| 抄録(英) | Currently used CMOS logic gates generate switching noise, when transient current flows through parasitic impedance of a power supply line and a ground line at switching operations. The noise leaks to analog circuits through the substrate and limits their performance, in AD mixed LSIs. The noise consists of two factors, (1) charge and discharge load capacitance and (2) differential response to input/output transitions. we propose a low noise CMOS logic : SCL (Slowly Charging Logic) that supresses noise generation of the first factor. Experimental results of the test chip with 0.35 μm CMOS process technology shows that the peak noise voltage of SCL is around 1/2 and the noise power is around 1/3 compared with those of the conventional CMOS logic. |
| キーワード(和) | AD混載LSI / スイッチング雑音 / 基板雑音 / SCL |
| キーワード(英) | AD mixed LSIs / switching noise / substrate noise / SCL |
| 資料番号 | ICD98-133 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/8/21(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AD混載LSIのための低雑音CMOS論理回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Low Noise CMOS Logic for AD Mixed LSIs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AD混載LSI / AD mixed LSIs |
| キーワード(2)（和/英） | スイッチング雑音 / switching noise |
| キーワード(3)（和/英） | 基板雑音 / substrate noise |
| キーワード(4)（和/英） | SCL / SCL |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 土方 克昌 / Katsumasa Hijikata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加島 洋二 / Yoji Kashima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永田 真 / Makoto Nagata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 森江 隆 / Takashi Morie |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩田 穆 / Atsushi Iwata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 1998/8/21 |
| 資料番号 | ICD98-133 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 245 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |