講演名 1998/12/11
有機基板を用いた高放熱型フリップチップBGAパッケージ
松嶋 弘倫, 呉 強, 渡辺 正樹, 林 英二, 富田 至洋, 馬場 伸治, 竹本 好孝, 上貝 康己,
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抄録(和) 近年の電子機器の急速な高性能化、小型化に伴い、LSIの多ピン化、高放熱化、及び高速化に対応できるパッケージが要求されている。この要求を満たすべく、有機基板を用いた高放熱型フリップチップBGAパッケージ(FC-BGA)を開発した。FC-BGAでは、フリップチップ接合の採用とヒートスプレッダーをチップ裏面に直接取り付けることにより、優れた熱特性(6W級)が得られる。さらに、この有機基板を適用したFC-BGAにおいて、バンプ材料として共晶半田(Pb-63wt%Sn)を採用することにより、高融点半田(Pb-3wt%Sn+Pb-63wt%Sn)よりも高い信頼性が得られる。
抄録(英) Nowadays, the electronic devices have rapidly advanced in both respect of the small size and the possession of high speed. A themally enhanced Flip-chip BGA package(FC-BGA)with organic substrate has been developed to satisfy the requirements_ the high pin counts, high themal dissipation and high speed for package. It is proud of the high themal performance(6W)due to the flip-chip interconnections, and the optimized heat spreader attached directly onto the chip. Besides, the eutectic solder bumps(Pb-63wt%Sn)have realized high reliability of flip-chip interconnections, compared with the high melting point solder bumps(Pb-3wt%Sn connected with Pb-63wt%Sn).
キーワード(和) フリップチップBGA / 多ピン / 高放熱 / 有機基板 / ヒートスプレッダー / 共晶半田
キーワード(英) Flip-chip BGA / high pin counts / high thermal dissipation / organic substrate / heat spreader / eutectic solder
資料番号 CPM98-169,ICD98-248
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 1998/12/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 有機基板を用いた高放熱型フリップチップBGAパッケージ
サブタイトル(和)
タイトル(英) Thermally Enhanced Flip-chip BGA with Organic Substrate
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) フリップチップBGA / Flip-chip BGA
キーワード(2)(和/英) 多ピン / high pin counts
キーワード(3)(和/英) 高放熱 / high thermal dissipation
キーワード(4)(和/英) 有機基板 / organic substrate
キーワード(5)(和/英) ヒートスプレッダー / heat spreader
キーワード(6)(和/英) 共晶半田 / eutectic solder
第 1 著者 氏名(和/英) 松嶋 弘倫 / Hironori Matsushima
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部アセンブリ技術部ULSIパッケージ構造開発課
Mitsubishi Electric Corporation, Manufacturing Technology Div.Advanced Package Development Sect., IC Assembly Engineering Dept.
第 2 著者 氏名(和/英) 呉 強 / Qiang Wu
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部アセンブリ技術部ULSIパッケージ構造開発課
Mitsubishi Electric Corporation, Manufacturing Technology Div.Advanced Package Development Sect., IC Assembly Engineering Dept.
第 3 著者 氏名(和/英) 渡辺 正樹 / Masaki Watanabe
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部アセンブリ技術部ULSIパッケージ構造開発課
Mitsubishi Electric Corporation, Manufacturing Technology Div.Advanced Package Development Sect., IC Assembly Engineering Dept.
第 4 著者 氏名(和/英) 林 英二 / Eiji Hayashi
第 4 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部アセンブリ技術部ULSIパッケージ構造開発課
Mitsubishi Electric Corporation, Manufacturing Technology Div.Advanced Package Development Sect., IC Assembly Engineering Dept.
第 5 著者 氏名(和/英) 富田 至洋 / Yoshihiro Tomita
第 5 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部アセンブリ技術部ULSIパッケージ構造開発課
Mitsubishi Electric Corporation, Manufacturing Technology Div.Advanced Package Development Sect., IC Assembly Engineering Dept.
第 6 著者 氏名(和/英) 馬場 伸治 / Shinji Baba
第 6 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部アセンブリ技術部ULSIパッケージ構造開発課
Mitsubishi Electric Corporation, Manufacturing Technology Div.Advanced Package Development Sect., IC Assembly Engineering Dept.
第 7 著者 氏名(和/英) 竹本 好孝 / Yoshitaka Takemoto
第 7 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社半導体基盤技術統括部アセンブリ技術部ULSIパッケージ構造開発課
Mitsubishi Electric Corporation, Manufacturing Technology Div.Advanced Package Development Sect., IC Assembly Engineering Dept.
第 8 著者 氏名(和/英) 上貝 康己 / Yasumi Uegai
第 8 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社先端技術総合研究所機械システム技術部構造強度G
Mitsubishi Electric Corporation, Advanced Technology R & D Center Stractural Analysis Group, Mechanical Systems Dept.
発表年月日 1998/12/11
資料番号 CPM98-169,ICD98-248
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 459
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日