講演名 1998/12/11
250MHz超える高速DRAMのAt-Speed test評価技術
野路 宏行, 串山 夏樹,
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抄録(和) 18M Base版Rambus DRAMをモチーフに、高速DRAM評価の手法及び注意点などを報告する。その技術を応用し、waferでの高速評価の実験を行った。その結果、waferにて250MHz以上の動作周波数の確認できたことも報告する。
抄録(英) Methods and notes for testing of high-speed DRAMs are described. A special probe card has been manufactured and an unassembled 18Mbit Rambus DRAM has been measured with the probe card and confirmed that the chip operated over 250MHz.
キーワード(和) ラムバスDRAM / 高速テスト / 高速テスタ / キャリブレーション / テスト回路
キーワード(英) Rambus DRAM / Hi-speed testing / Hi-speed tester / A metod of Caliburation / Test circuits
資料番号 CPM98-164,ICD98-243
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 1998/12/11(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 250MHz超える高速DRAMのAt-Speed test評価技術
サブタイトル(和)
タイトル(英) A method for At-speed testing with over 250MHz Hi-speed DRAM
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ラムバスDRAM / Rambus DRAM
キーワード(2)(和/英) 高速テスト / Hi-speed testing
キーワード(3)(和/英) 高速テスタ / Hi-speed tester
キーワード(4)(和/英) キャリブレーション / A metod of Caliburation
キーワード(5)(和/英) テスト回路 / Test circuits
第 1 著者 氏名(和/英) 野路 宏行 / Hiroyuki Noji
第 1 著者 所属(和/英) (株)東芝マイクロエレクトロニクス
Toshiba Microelectronics Corp.
第 2 著者 氏名(和/英) 串山 夏樹 / Natsuki Kushiyama
第 2 著者 所属(和/英) (株)東芝メモリー事業部
Memory Division, Toshiba Corp.
発表年月日 1998/12/11
資料番号 CPM98-164,ICD98-243
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 459
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日