| 講演名 | 1998/12/10 ALIVH基板とSBB実装の高周波特性 田口 豊, 岩城 秀樹, 板垣 峰広, 別所 芳宏, 江田 和生, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 全てのレイヤーにIVH(インナーヴィアホール)が形成できるALIVH(Any Layer Inner Via Hole)基板とフリップチップ実装の1手法であるSBB(Stud Bump Bonding)実装の高速デジタル回路への応用を目的として、GHz帯における特性を3次元有限要素法によるシミュレーションおよび実測によって調べた。また実際の回路設計に使用できるようにヴィアホール、SBB実装部分の等価回路を導出した。その結果、ALIVH基板、SBB実装はGHz帯においても良好な特性を示し、高速デジタル回路へ適用可能であることがわかった。 |
| 抄録(英) | High frequency Characteristics of a via hole in an ALIVH substrate and flip chip interconnecting region using SBB technology were measured using resonant method and were simulated using FEM method. The equivalent circuits of the via hole and the flip chip interconnection were evaluated. Both of the ALIVH substrate and the SBB flip chip interconnecting technology were found to be good enough to apply to high speed digital systems up to 1GHz. |
| キーワード(和) | ALIVH / SBB / 高速デジタル / 高周波 / 等価回路 |
| キーワード(英) | ALIVH / SBB / High Speed Digital / High Frequency / Equivalent Circuit |
| 資料番号 | CPM98-155,ICD98-234 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ALIVH基板とSBB実装の高周波特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Frequency Electrical Characterization of an ALIVH Substrate and Interconnecting Region using SBB Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ALIVH / ALIVH |
| キーワード(2)（和/英） | SBB / SBB |
| キーワード(3)（和/英） | 高速デジタル / High Speed Digital |
| キーワード(4)（和/英） | 高周波 / High Frequency |
| キーワード(5)（和/英） | 等価回路 / Equivalent Circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田口 豊 / Yutaka Taguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター Device Engineering Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩城 秀樹 / Hideki Iwaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター Device Engineering Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 板垣 峰広 / Minehiro Itagaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター Device Engineering Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 別所 芳宏 / Yoshihiro Bessho |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター Device Engineering Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 江田 和生 / Kazuo Eda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社デバイス・エンジニアリング開発センター Device Engineering Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1998/12/10 |
| 資料番号 | CPM98-155,ICD98-234 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 458 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |