| 講演名 | 1995/12/15 Snメッキ三層TABテープにおけるイオン・マイグレーションのメカニズム検証 柴崎 康司, 田窪 知章, 田澤 浩, 細美 英一, 須藤 俊夫, 池水 守彦, 蛭田 陽一, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | TAB (Tape Automated Bonding)は微細接続を可能にし、チップサイズの縮小化及びパッケージの多ピン化、簿型化に対応できる接続技術である。TABリードの微細ピッチ化に伴い、イオン・マイグレーションに起因した絶縁信頼性の検討が重要になってきている。今回はSnメッキ三層TABテープを高温バイアス試験後、電子線マイクロアナライザー(EPMA: Electron Probe Microanalysis)にて分析を行った結果について報告する。TABリードにメッキされているSnが高温で接着剤中に溶出し、イオン・マイグレーションを引き起こす要因となっていることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | TAB (Tape Automated Bonding) is suitable for high-pin-count and thinner package. As the pitch of TAB-lead is becoming finer, it is important to investigate electro chemical migration. By EPMA (Electron Probe Microanalysis) after High Temperature Bias Test, it has been clarified that tin plated on TAB-lead dissolves and diffuses into the adhesive and it results in electrochemical migration at high temperature. |
| キーワード(和) | TAB / マイグレーション / デンドライト / Sn / Cu |
| キーワード(英) | TAB / migration / dendrite / tin / copper |
| 資料番号 | ICD95-195 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 1995/12/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Snメッキ三層TABテープにおけるイオン・マイグレーションのメカニズム検証 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrochemical Migration in Three Layer TAB Tape with Tin-plated Lead |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TAB / TAB |
| キーワード(2)（和/英） | マイグレーション / migration |
| キーワード(3)（和/英） | デンドライト / dendrite |
| キーワード(4)（和/英） | Sn / tin |
| キーワード(5)（和/英） | Cu / copper |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 柴崎 康司 / Koji SHIBASAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 Toshiba Microelectronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田窪 知章 / Chiaki TAKUBO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝 半導体デバイス技術研究所 Semiconductor Device Engineering Laboratory, TOSHIBA Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田澤 浩 / Hiroshi TAZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝 半導体デバイス技術研究所 Semiconductor Device Engineering Laboratory, TOSHIBA Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 細美 英一 / Eiichi HOSOMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝 半導体デバイス技術研究所 Semiconductor Device Engineering Laboratory, TOSHIBA Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 須藤 俊夫 / Toshio SUDO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝 半導体デバイス技術研究所 Semiconductor Device Engineering Laboratory, TOSHIBA Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 池水 守彦 / Morihiko IKEMIZU |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝 半導体生産技術推進センター Semiconductor Manufacturing Engineering Center, TOSHIBA Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 蛭田 陽一 / Youichi HIRUTA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)東芝 半導体生産技術推進センター Semiconductor Manufacturing Engineering Center, TOSHIBA Corporation |
| 発表年月日 | 1995/12/15 |
| 資料番号 | ICD95-195 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 427 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |