| 講演名 | 1995/12/14 低寄生インダクタンスプローブを用いた微小インダクタンスの測定 清水 治世, 永田 達也, 福本 英士, 中村 篤, |
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| 抄録(和) | LCRメータと組み合わせてLSIパッケージリードなどの微小インダクタンスを測定するための,2種類の新しいプローブ系と測定方法を報告する。これらのプローブ系では,測定精度を低下させる原因となるプローブの寄生インダクタンスを最小にすることによりナノヘンリーオーダのインダクタンス測定を可能にしたこの測定方法には,単独導体のインダクタンスが測定できること,高い空間分解能を持つことの他,グランドプレーンなどの板状導体と配線からなる系でも個々の実効インダクタンスを測定することができる利点がある。測定とシミュレーションの結果を比較したところ,両者が良く一致していることがわかった。 |
| 抄録(英) | A new inductance measurement method of a nanohenry order is proposed using an LCR meter. Since parasitic inductances of probes usually decreases the measurement accuracy, we developed two types of special probes to minimize such parasitic inductances. The new measurement methods have special merits, such as separate measurements of each trace and a high spatial resolution. They also enable measurements of inductances not only for simple traces, but also for combined trace-and-sheet conductor systems. The results measured proved to be in good agreement with our electromagnetic simulator. |
| キーワード(和) | インダクタンス / LCRメータ / LSIパッケージ / 同時切り替えノイズ / グランドプレーン |
| キーワード(英) | inductance / LCR meter / LSI package / simultaneous switching noise / ground plane |
| 資料番号 | ICD95-190 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1995/12/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低寄生インダクタンスプローブを用いた微小インダクタンスの測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nanohenry Inductance Measurement Using a Low-Parasitic-Inductance Probe System |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | インダクタンス / inductance |
| キーワード(2)（和/英） | LCRメータ / LCR meter |
| キーワード(3)（和/英） | LSIパッケージ / LSI package |
| キーワード(4)（和/英） | 同時切り替えノイズ / simultaneous switching noise |
| キーワード(5)（和/英） | グランドプレーン / ground plane |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 治世 / H. Shimizu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所機械研究所 Mechanical Engineering Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永田 達也 / T. Nagata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所機械研究所 Mechanical Engineering Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福本 英士 / H. Fukumoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所日立研究所 Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中村 篤 / A. Nakamura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所半導体事業部 Semiconductor & Integrated Circuits Div., Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 1995/12/14 |
| 資料番号 | ICD95-190 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 426 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |