| 講演名 | 1995/5/26 32Mb AND型フラッシュメモリ 野副 敦史, |
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| 抄録(和) | 3.3V単一電源の、AND型セルを用いた32Mbフラッシュメモリを開発した。全動作がすべてセクタ単位で行え、高効率の欠陥救済、容易な不良セクタ管理を可能とした。また、高速化と高集積化が同時に可能であることを活かし、シリアルセクター、ランダムバイトの2つのアクセスモードを持つ。1mS/セクタの高速消去・書込みは、パルス幅べき乗比印加方式で実現した。 |
| 抄録(英) | Single 3.3V supply 32Mbit AND type flash memory has been fabricated. It can handle the data strictly sector by sector (512B/Sector). This ability increases repair efficiency and makes the management of ware-out sector address much easier. AND type cell is suitable for both high density and high speed application. Thus, this chip implement both random byte access mode and serial sector access mode. 1ms/512B erase and program has been realized by means of variable pulse width method. |
| キーワード(和) | フラッシュメモリ / AND型メモリセル / シリアル・ランダムアクセス |
| キーワード(英) | Flash Memory / AND-memory cell / Serial・Random Access Mode |
| 資料番号 | |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1995/5/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 32Mb AND型フラッシュメモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 32Mb AND Flash Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / Flash Memory |
| キーワード(2)（和/英） | AND型メモリセル / AND-memory cell |
| キーワード(3)（和/英） | シリアル・ランダムアクセス / Serial・Random Access Mode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野副 敦史 / Atsushi Nozoe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 1995/5/26 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 72 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |