| 講演名 | 1996/5/24 3.3V単一電源動作16Mb NOR FLASH MEMORY 番場 博則, 梅沢 明, 栗山 正男, 大塚 伸朗, 富田 直人, 居山 由美子, 宮葉 武史, 須藤 亮, 神谷 英二, 谷本 正男, 樋浦 洋平, 荒木 佳子, 坂上 栄人, 新井 範久, 渥美 滋, 森 誠一, |
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| 抄録(和) | 0.4μm微細加工技術を用いて3.3V単一電源動作の16MビットNOR型フラッシュEEPROMを開発・試作した。3.3V単一電源動作を可能にするため、ゲートを負電圧にバイアスする消去方式を採用した。チャージポンプは、回路面積を最小にするため、チャージポンプにP基板上のナチュラルなN-MOSトランジスタを使用し、高周波数で動作させた。行デコーダのレベルシフタ回路に、新しく開発したラッチ型レベルシフタ回路を採用し、負電圧による回路の酸化膜電圧ストレスを緩和した。自己収束を利用し、負ゲート消去に適した行リダンダンシ回路を開発した。ATDによる疑似デファレンシャル読みだし回路で読み出しが高速になった。 |
| 抄録(英) | A 3.3V-only fast random access time 16M flash memory with a new row decoding scheme is developed. This devis is fabiricated using 0.4μm double well CMOS double metal technology. A negative gate biasd erase scheme is implemented to enable 3.3V-only operation. A high performance cherge pump circut is designed for minimize charge pump circuit area. A row decoder circuit with novel level shifter scheme is implemented for stress relaxation during negative gate biased erase operation. A new row redundancy scheme with self-convergence is developed to improve the yied. Quasi-differential sensing with address transition detection is incorporated in the design to obtain fast random access time. |
| キーワード(和) | フラッシユEEPROM / ゲート負バイアス消去 / チャージポンプ / 3.3V単一動作 |
| キーワード(英) | Flash EEPROM / negative gate biased erase / charge pump / 3.3V-only operation |
| 資料番号 | ICD96-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1996/5/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3.3V単一電源動作16Mb NOR FLASH MEMORY |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 3.3V-only 16GMb Flash Memory with a new Row-Decoding Scheme |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシユEEPROM / Flash EEPROM |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート負バイアス消去 / negative gate biased erase |
| キーワード(3)（和/英） | チャージポンプ / charge pump |
| キーワード(4)（和/英） | 3.3V単一動作 / 3.3V-only operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 番場 博則 / Hironori Banba |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 梅沢 明 / Akira Umezawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 栗山 正男 / Masao Kuriyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大塚 伸朗 / Nobuaki Ohtsuka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 富田 直人 / Naoto Tomita |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 居山 由美子 / Yumiko Iyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) Toshiba Microelectronics |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 宮葉 武史 / Takeshi Miyaba |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) Toshiba Microelectronics |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 須藤 亮 / Ryo Sudo |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 神谷 英二 / Eiji Kamiya |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 谷本 正男 / Masao Tanimoto |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 樋浦 洋平 / Yohei Hiura |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 荒木 佳子 / Yoshiko Araki |
| 第 12 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 坂上 栄人 / Eiji Sakagami |
| 第 13 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 14 著者 氏名（和/英） | 新井 範久 / Norihisa Arai |
| 第 14 著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) Toshiba Microelectronics |
| 第 15 著者 氏名（和/英） | 渥美 滋 / Shigeru Atsumi |
| 第 15 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 第 16 著者 氏名（和/英） | 森 誠一 / Seiichi Mori |
| 第 16 著者 所属（和/英） | (株)東芝 デバイス技術研究所 ULSI Device Engineering Laboratory, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 1996/5/24 |
| 資料番号 | ICD96-43 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 65 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |